[发明专利]一种OLED显示面板、OLED显示面板的制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810979238.1 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN109103230B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 艾晓雷 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 陈莎莎 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
覆盖在OLED显示面板的阴极上的衬底层;
覆盖在所述衬底层上的第一无机薄膜,所述衬底层与所述第一无机薄膜的晶格相匹配,以使得所述第一无机薄膜与所述衬底层的晶格失配度小于预设值,所述预设值不大于30%;
所述衬底层的材料为导体或半导体材料;还包括:
设置在所述衬底层和阴极之间的绝缘层;
所述绝缘层的材料为SiNx、SiO2、SiNO、Al2O3或TiO2。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,还包括:
覆盖在所述第一无机薄膜上的有机薄膜层;
覆盖在所述有机薄膜层上第二无机薄膜。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述衬底层的厚度不小于1nm,不大于1um。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述衬底层的材料为GaN、InP、AlN、SiC、Si、ZnO、石英或蓝宝石。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述绝缘层的厚度不小于1nm,不大于1um。
6.一种OLED显示面板的制作方法,应用于权利要求1-5任意一项所述的OLED显示面板,包括:
提供基板以及阵列层,所述阵列层包括依次位于所述基板上的缓冲层和发光层;
在所述发光层的阴极上沉淀一层绝缘层;
在所述发光层的绝缘层上沉淀一层衬底层,所述衬底层与第一无机薄膜的晶格失配度小于预设值;依次形成覆盖所述衬底层的第一无机薄膜、第一有机薄膜和第二无机薄膜。
7.一种显示装置,其特征在于,应用有:权利要求1-5任意一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的