[发明专利]一种用于SiC器件的离子注入方法在审
| 申请号： | 201810979262.5 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148274A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 图案化层 缓冲层 表面形成 常温下 掠射角 光刻 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：在常温下以预定角度的掠射角进行离子注入。
2.如权利要求1所述的用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法还包括：
在进行所述离子注入前，在SiC材料表面形成用于离子注入的缓冲层；以及
对所述缓冲层进行光刻形成离子注入的图案化层。
3.如权利要求1或2所述的用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述掠射角的大小为1°至10°。
4.如权利要求2所述的用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为20nm至200nm。
5.如权利要求3所述的用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为20nm至200nm。
6.如权利要求2所述的用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为SiO2或SiNx。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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