[发明专利]半导体器件和方法

说明书

本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

作为实例，半导体器件用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻对衬底和/或各种材料层进行图案化或处理以在衬底上形成电路组件和元件并形成集成电路来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割各个管芯。例如，然后将单独的管芯分开封装、在多芯片模块中封装或者在其他类型的封装件中封装。

当在电子设备中使用半导体器件时，诸如电池的电源通常连接管芯以提供电源并且可以通过无线充电系统来充电。在无线充电系统中，电磁场由充电站产生，并且能量被传送到电子设备。电子设备中的感应线圈从电磁场中获取电源并将其转换回电流以对电池进行充电。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一介电层上沉积导电层；蚀刻所述导电层以在所述第一介电层上形成导电屏蔽件，所述导电屏蔽件包括开口和在所述开口与所述导电屏蔽件的外围之间延伸的第一通道区域；在所述导电屏蔽件上形成第二介电层；在所述第二介电层上形成线圈；将集成电路管芯放置在所述第二介电层上，所述集成电路管芯设置在所述线圈的外部；用密封剂密封所述线圈和所述集成电路管芯；以及在所述线圈、所述集成电路管芯和所述密封剂上形成再分布结构。

根据本发明的另一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：沉积第一介电层；在所述第一介电层上形成导电屏蔽件，所述导电屏蔽件包括开口和在所述开口与所述导电屏蔽件的外围之间延伸的第一通道区域；在所述导电屏蔽件和所述第一介电层上沉积第二介电层；在所述第二介电层上形成线圈，所述第二介电层在所述线圈与所述导电屏蔽件之间连续地延伸；以及用密封剂密封所述线圈，所述密封剂的顶表面和所述线圈的顶表面是平齐的。

根据本发明的又一个方面，提供了一种半导体器件，包括：导电屏蔽件，位于第一介电层上；第二介电层，位于所述第一介电层和所述导电屏蔽件上，所述第一介电层和所述第二介电层围绕所述导电屏蔽件，所述第二介电层包括：第一部分，沿着所述导电屏蔽件的外围设置；第二部分，延伸穿过所述导电屏蔽件的中心区域；和第三部分，延伸穿过所述导电屏蔽件的通道区域，所述第三部分将所述第一部分连接至所述第二部分；线圈，位于所述第二介电层上，所述线圈设置在所述导电屏蔽件上方；集成电路管芯，位于所述第二介电层上，所述集成电路管芯设置在所述线圈的外部；以及密封剂，围绕所述线圈和所述集成电路管芯，所述密封剂、所述集成电路管芯和所述线圈的顶表面是平齐的。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的无线充电系统的框图。

图2是根据一些实施例的接收器的立体图。

图3至图18是根据一些实施例的用于形成接收器的工艺期间的中间步骤的各种视图。

图19A至图19D示出了根据一些其他实施例的顶视图中的导电屏蔽件。