[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成磁阻式随机存取存储器单元结构，所述磁阻式随机存取存储器单元结构包括底电极、磁隧道结堆叠件和顶电极；

在所述磁阻式随机存取存储器单元结构上方形成第一绝缘覆盖层；

在所述第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层；

形成层间介电层；

在所述层间介电层中形成接触开口，从而暴露所述第二绝缘覆盖层；

去除所述第二绝缘覆盖层的部分和所述第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露所述顶电极；以及

在与所述顶电极接触的所述开口中形成导电层，

其中，所述第二绝缘覆盖层具有吸氧特性，使得配置于所述磁阻式随机存取存储器单元结构侧壁上方的第二绝缘覆盖层防止氧扩散到所述磁隧道结堆叠件中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二绝缘覆盖层由与所述第一绝缘覆盖层不同的基于锆的绝缘材料制成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一绝缘覆盖层是选自由SiN、SiON和SiOCN组成的组中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述基于锆的绝缘材料是选自由ZrN、ZrC和ZrB₂组成的组中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述层间介电层包括底层间介电层和上层间介电层，以及

通过蚀刻所述上层间介电层形成所述开口。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述上层间介电层包括两个或多个介电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述层间介电层包括：

在所述第二绝缘覆盖层上方形成用于所述底层间介电层的介电材料；

平坦化所述介电材料以暴露所述第二绝缘覆盖层，从而形成所述底层间介电层；以及

在所述底层间介电层和所述第二绝缘覆盖层上形成所述两个或多个介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二绝缘覆盖层上方形成第三绝缘覆盖层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三绝缘覆盖层由SiC制成。

10.一种制造包括磁阻式随机存取存储器单元的半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一层间介电层上方形成第一导电层；

在所述第一导电层上方形成用于磁隧道结堆叠件的堆叠层；

在所述堆叠层上方形成第二导电层；

图案化所述第二导电层、所述堆叠层和所述第一导电层，从而形成磁阻式随机存取存储器单元结构，所述磁阻式随机存取存储器单元结构包括由所述第一导电层形成的底电极、所述磁隧道结堆叠件和由所述第二导电层形成的顶电极；

在所述磁阻式随机存取存储器单元结构上方形成第一绝缘覆盖层；

在所述第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层，所述第二绝缘覆盖层具有吸氧特性，使得配置于所述磁阻式随机存取存储器单元结构侧壁上方的第二绝缘覆盖层防止氧扩散到所述磁隧道结堆叠件中；

在所述第二绝缘覆盖层上方形成第三绝缘覆盖层；

形成第二层间介电层；

在所述第二层间介电层中形成接触开口，从而暴露所述第三绝缘覆盖层；

去除所述第三绝缘覆盖层的部分、所述第二绝缘覆盖层的部分和所述第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露所述顶电极；以及

在与所述顶电极接触的所述开口中形成第三导电层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在图案化所述第二导电层、所述堆叠层和所述第一导电层之后，使所述第一层间介电层部分地凹进。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一绝缘覆盖层的底部位于所述底电极的底部之下。