[发明专利]用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构，其特征在于，包括：

第一测试晶体管，第一测试晶体管具有第一源级、第一漏极、第一栅极和第一背栅极，第一背栅极分别与第一源级和第一漏极连接；

与第一栅极连接的第一量测模块；

第二测试晶体管，第二测试晶体管和第一测试晶体管是两个完全相同的晶体管，第二测试晶体管具有第二源级、第二漏极、第二栅极和第二背栅极，第二背栅极分别与第二源级和第二漏极连接，第二背栅极和第一背栅极连接；

与第二栅极连接的第二量测模块，第二量测模块和第一量测模块适于给第一测试晶体管和第二测试晶体管进行恒流加压，第二量测模块和第一量测模块恒流加压时，第一测试晶体管和第二测试晶体管所处的电性状态的极性不同；在第二量测模块和第一量测模块给第一测试晶体管和第二测试晶体管恒流加压时：所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为反型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型，或，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为反型；

分别与第二背栅极和第一背栅极连接的第三量测模块，第三量测模块适于和第一量测模块一起检测第一测试晶体管中的栅氧层的漏电情况，第三量测模块适于和第二量测模块一起检测第二测试晶体管中的栅氧层的漏电情况。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为反型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型时，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为PMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势小于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为反型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型时，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为NMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势大于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为反型时，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为PMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势大于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为反型时，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为NMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势小于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在第三量测模块和第一量测模块一起检测第一测试晶体管中的栅氧层的漏电情况的过程中，所述第三量测模块还适于对自身输出的功率进行限制；在第三量测模块和第二量测模块一起检测第二测试晶体管中的栅氧层的漏电情况的过程中，所述第三量测模块还适于对自身输出的功率进行限制。