[发明专利]一种SSD中RAID的实现方法有效
申请号: | 201810982296.X | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN108984133B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 廖彬彬;晋兆虎;王荣生;黄益人 | 申请(专利权)人: | 杭州阿姆科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 程皓 |
地址: | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ssd raid 实现 方法 | ||
本发明公开了一种SSD中RAID的实现方法。它的实现方法包括如下两个方面:(1)Logic Block重映射:将当前使用的block编号和实际的物理block隔离,在二者加之间建立一个映射表,当实际物理块发生错误的时候,用NAND的冗余保护空间获取新的block,用以替换出错的block,替换之后的新的block的逻辑编号没有发生变化;(2)RAID组的选择:在选择RAID组的时候,将没有强相关性的block做RAID处理;在NVM Set内部做RAID处理,以实现不同NVM Set之间的I/O隔离。本发明的有益效果是:利用Bad block映射关系表降低RAID复杂度,提供稳定的读写性能;使用灵活的RAID关系组实现I/O隔离。
技术领域
本发明涉及SSD相关技术领域,尤其是指一种SSD中RAID的实现方法。
背景技术
SSD(Solid State Disk)固态硬盘是一种主要以闪存作为非易失性存储器的数据存储设备。随着NAND技术发展,固态硬盘每GB的成本正在下降,在数据中心以及个人电脑上都开始大批替代HDD。
NAND Flash有单层式存储(SLC)、多层式存储(MLC)、三层式存储(TLC)以及四层式存储(QLC)。3D NAND技术使得SSD的存储密度得到快速的提高。TLC/QLC的错误率很高,需要使用先进的ECC算法来进行纠错。
RAID(Redundant Array of Independent Disks),独立冗余磁盘阵列是一种把多块独立的硬盘(物理硬盘)按不同的方式组合起来形成一个硬盘组(逻辑硬盘),从而提供比单个硬盘更高的存储性能和提供数据备份技术。
SSD系统由一个或多个通道组成,每个通道可以连接多个闪存颗粒,每个颗粒内部又可以按照Target、Lun、Plane等来进行划分,因此可以在SSD系统内部创建RAID来保护数据,提高可靠性。已有的专利使用固定的物理地址来创建RAID,有以下问题:
读写性能和延迟,当固定物理地址中出现坏块时,RAID组需要跳过坏块,导致读写性能出现降低,性能不够稳定,以及延迟增加。
系统隔离性,如果将SSD划分为多个NVM集和,固定物理地址创建RAID,导致NVM组之间会相互影响,失去隔离性的特性。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中存在上述的不足,提供了一种性能稳定高的SSD中RAID的实现方法。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种SSD中RAID的实现方法,每片NAND Flash颗粒包含一个或多个Target,每个Target中包含一个或多个Die,每个Die中包含一定数量的块,每个块中包含一定数量的页,其中块为NAND Flash擦除操作的最小单元,页为NAND Flash读写操作的最小单元,实现方法包括如下两个方面:
(1)Logic Block重映射:将当前使用的block编号和实际的物理block隔离,在二者加之间建立一个映射表,当实际物理块发生错误的时候,用NAND的冗余保护空间获取新的block,用以替换出错的block,替换之后的新的block的逻辑编号没有发生变化;
(2)RAID组的选择:在选择RAID组的时候,将没有强相关性的block做RAID处理;在NVM Set内部做RAID处理,以实现不同NVM Set之间的I/O隔离。
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