[发明专利]一种降低上下电对硬件测试干扰的电路及方法有效

专利信息
申请号: 201810982949.4 申请日: 2018-08-27
公开(公告)号: CN109142821B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 葛志华 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: G01R1/30 分类号: G01R1/30
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 王汝银
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 降低 上下 硬件 测试 干扰 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种降低上下电对硬件测试干扰的电路,其特征在于,包括:电源单元、电压处理单元、PSU和待测硬件;

所述电压处理单元的输入端与电源单元连接;所述电压处理单元的输出端与PSU输入端相连;所述PSU的输出端与待测硬件相连;

所述电源单元,用于提供工作电源电压;所述电压处理单元,用于在上下电瞬间消除工作电源电压不稳定产生的电火花;所述PSU将电压处理单元处理过的稳定工作电压转换成待测硬件所需的直流电;所述待测硬件:用于接收PSU处理过的直流电;

所述电压处理单元包括机械开关、隔离电源模块1、第一延时电路、MOSFET1、隔离电源模块2、第二延时电路和MOSFET2;

所述机械开关靠近电源单元的一端连接电源单元的零线和火线,所述机械开关远离电源单元的一端的零线和火线连接隔离电源模块1的交流电输入端,所述机械开关远离电源单元的一端的零线和火线还连接隔离电源模块2的交流电输入端,所述隔离电源模块1的直流电输出端的正极连接第一延时电路中电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端与第一电容C1的一端、N沟道MOSFET1的栅极相连,所述第一电容C1的另外一端与隔离电源模块1的直流电输出端的负极、N沟道MOSFET1的的源极相连,所述N沟道MOSFET1内寄生二极管D1,所述二极管D1的阳极连接MOSFET1的源极、阴极连接MOSFET1的漏极;所述MOSFET1的漏极还与电源单元火线相连,所述隔离电源模块2的直流电输出端的正极连接第二延时电路中电阻R2的一端,所述电阻R2的另一端与第二电容C2的一端、N沟道MOSFET2的栅极相连,所述第二电容C2的另外一端与隔离电源模块2的直流电输出端的负极、N沟道MOSFET2的的源极、N沟道MOSFET1的的源极相连,所述所述N沟道MOSFET2内寄生二极管D2,所述二极管D2的阳极连接MOSFET2的源极、阴极连接MOSFET2的漏极,所述MOSFET2的漏极连接PSU,所述PSU还与电源单元的零线、待测硬件相连;所述电源单元采用220V交流电。

2.根据权利要求1所述的一种降低上下电对硬件测试干扰的电路,其特征在于,所述隔离电源模块1的AC和DC采用电气隔离;所述隔离电源模块2的AC和DC采用电气隔离。

3.根据权利要求1所述的一种降低上下电对硬件测试干扰的电路,其特征在于,接通机械开关,电路从断开到连通为上电;断开机械开关,电路从连通到断开为下电。

4.根据权利要求1所述的一种降低上下电对硬件测试干扰的电路,所述PSU将电压处理单元处理过的稳定工作电压转换成12V直流电。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州浪潮智能科技有限公司,未经苏州浪潮智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810982949.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top