[发明专利]一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管在审

专利信息
申请号: 201810984771.7 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN109378346A 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 郑雪峰;郝跃;马晓华;白丹丹;王冲 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/45;H01L29/47
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 郝梦玲
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 帽层 肖特基势垒二极管 阴极 复合势垒 复合阳极 场板 沟道层 衬底 器件击穿电压 击穿特性 开启电压 依次层叠 钝化层 缓冲层 减小 覆盖
【权利要求书】:

1.一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底(101)、依次层叠于所述衬底(101)上的缓冲层(102)和沟道层(103),其特征在于,还包括:

设置在所述沟道层(103)上的复合势垒层;

设置在所述复合势垒层上的阴极(107)、复合阳极和P型AlGaN帽层(106),所述P型AlGaN帽层(106)位于所述阴极(107)和所述复合阳极之间;

设置在所述P型AlGaN帽层(106)上的基极(111),所述基极(111)的长度小于等于所述P型AlGaN帽层(106)的长度;

覆盖在所述复合势垒层、所述P型AlGaN帽层(106)、所述复合阳极、所述阴极(107)和所述基极(111)上的钝化层(112)。

2.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述复合势垒层包括第一势垒层(1041)、第二势垒层(1042)和第三势垒层(105),其中,所述第三势垒层(105)位于所述第一势垒层(1041)和第一势垒层(1042)之间。

3.如权利要求2所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述第一势垒层(1041)和第二势垒层(1042)的材料均包括AlxGa1-xN,其中x范围为0.2~0.3。

4.如权利要求2所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述第三势垒层(105)材料包括AlxGa1-xN,其中x范围为0.05~0.2。

5.如权利要求2所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述复合阳极包括欧姆接触(108)和肖特基接触(110),其中,所述欧姆接触(108)位于所述第一势垒层(1041)上,所述肖特基接触(110)覆盖在所述第一势垒层(1041)和所述欧姆接触(108)上。

6.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述P型AlGaN帽层(106)的长度小于等于所述阴极(107)与所述复合阳极之间距离的一半。

7.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述P型AlGaN帽层(106)的掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1020cm-3

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