[发明专利]一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管在审
申请号: | 201810984771.7 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109378346A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 郑雪峰;郝跃;马晓华;白丹丹;王冲 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/45;H01L29/47 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 郝梦玲 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 帽层 肖特基势垒二极管 阴极 复合势垒 复合阳极 场板 沟道层 衬底 器件击穿电压 击穿特性 开启电压 依次层叠 钝化层 缓冲层 减小 覆盖 | ||
1.一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底(101)、依次层叠于所述衬底(101)上的缓冲层(102)和沟道层(103),其特征在于,还包括:
设置在所述沟道层(103)上的复合势垒层;
设置在所述复合势垒层上的阴极(107)、复合阳极和P型AlGaN帽层(106),所述P型AlGaN帽层(106)位于所述阴极(107)和所述复合阳极之间;
设置在所述P型AlGaN帽层(106)上的基极(111),所述基极(111)的长度小于等于所述P型AlGaN帽层(106)的长度;
覆盖在所述复合势垒层、所述P型AlGaN帽层(106)、所述复合阳极、所述阴极(107)和所述基极(111)上的钝化层(112)。
2.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述复合势垒层包括第一势垒层(1041)、第二势垒层(1042)和第三势垒层(105),其中,所述第三势垒层(105)位于所述第一势垒层(1041)和第一势垒层(1042)之间。
3.如权利要求2所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述第一势垒层(1041)和第二势垒层(1042)的材料均包括AlxGa1-xN,其中x范围为0.2~0.3。
4.如权利要求2所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述第三势垒层(105)材料包括AlxGa1-xN,其中x范围为0.05~0.2。
5.如权利要求2所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述复合阳极包括欧姆接触(108)和肖特基接触(110),其中,所述欧姆接触(108)位于所述第一势垒层(1041)上,所述肖特基接触(110)覆盖在所述第一势垒层(1041)和所述欧姆接触(108)上。
6.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述P型AlGaN帽层(106)的长度小于等于所述阴极(107)与所述复合阳极之间距离的一半。
7.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,所述P型AlGaN帽层(106)的掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1020cm-3。
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