[发明专利]一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201810984772.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109192788A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;马晓华;郝跃;白丹丹 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒层 复合势垒 帽层 肖特基势垒二极管 肖特基接触 阳极 复合阳极 沟道层 缓冲层 场板 衬底 器件击穿电压 阳极欧姆接触 阴极 击穿特性 开启电压 钝化层 减小 引入 覆盖 | ||
1.一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底(101)、位于所述衬底(101)上的缓冲层(102)和位于所述缓冲层(102)上的沟道层(103)，其特征在于，还包括：
第一势垒层(1041)，位于所述沟道层(103)上；
第二势垒层(1042)，位于所述沟道层(103)上；
第三势垒层(105)，位于所述沟道层(103)上并且设置在所述第一势垒层(1041)和所述第二势垒层(1042)之间；所述第一势垒层(1041)、所述第二势垒层(1042)和所述第三势垒层(105)共同形成复合势垒层；
阴极(107)，位于所述第一势垒层(1041)上；
阳极欧姆接触(108)，位于所述第二势垒层(1042)上；
阳极肖特基接触(110)，覆盖在所述阳极欧姆接触(108)和所述第二势垒层(1042)上，所述阳极欧姆接触(108)和所述阳极肖特基接触(110)共同形成复合阳极；
P型GaN帽层(106)，位于所述第三势垒层(105)上；
基极(111)，位于所述P型GaN帽层(106)上；
钝化层(112)，覆盖在所述复合势垒层、所述P型GaN帽层(106)、所述阳极肖特基接触(110)和所述基极(111)上。
2.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一势垒层(1041)和所述第二势垒层(1042)的材料均包括AlxGa1-xN，其中x范围为0.2～0.3。
3.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第三势垒层(105)材料包括AlxGa1-xN，其中x范围为0.05～0.2。
4.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述P型GaN帽层(106)的长度小于等于所述复合阳极与所述阴极(107)之间的距离。
5.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述P型GaN帽层(106)的掺杂浓度为1×1016cm-3～1×1018cm-3。
6.如权利要求1所述的GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述基极(111)的长度小于等于所述P型GaN帽层(106)的长度。
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