[发明专利]半导体元件及绝缘层的制造方法有效
| 申请号： | 201810985149.8 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427735B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;毕诗伟;陈彦羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 绝缘 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：
一第一导电结构，具有多个侧壁与一底面，该第一导电结构延伸穿过形成于一基材上的一或多个隔离层；以及
一绝缘层，设于该第一导电结构的至少一所述侧壁与该或该多个隔离层的各自侧壁之间，所述绝缘层提供一介面氧对一功函数金属的比小于0.8，其中该功函数金属包含钛、钨、与铝中的一者，
其中该第一导电结构至少透过该底面电性耦合至一第二导电结构。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一导电结构为一栅极。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体元件还包含一间隙壁，毗邻设于该或该多个隔离层的一者的一侧向导电结构，其中该间隙壁介于该侧向导电结构与该绝缘层之间。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该间隙壁与该绝缘层分开。
5.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该侧向导电结构为一导线。
6.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该绝缘层邻接该侧向导电结构。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一导电结构与该第二导电结构包含数个介层窗。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一导电结构包含一阻障层。
9.一种绝缘层的制造方法，其特征在于，该方法包含：
沉积一第一层；
蚀刻该第一层，以形成一凹陷延伸穿过该第一层；
沉积一绝缘层于该凹陷上，该绝缘层包含一不导电材料，其中沉积该绝缘层于该凹陷上包含沿着该凹陷对一残留氧化物施加一转化媒介以形成该绝缘层；以及
从该凹陷的一底部移除该绝缘层的一部分。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包含对该凹陷的该底部施加指向性的氩气电浆，以移除该绝缘层。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包含形成一侧向导电结构于该第一层中，其中该侧向导电结构与该绝缘层接触。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该方法还包含形成一间隙壁毗邻该侧向导电结构，其中该间隙壁位于该侧向导电结构与该绝缘层之间。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该间隙壁与该绝缘层分开。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，施加该转化媒介产生一介面氧对一功函数金属的比小于0.8，其中该功函数金属包含钛、钨、与铝中的一者。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，施加该转化媒介包含以100％的氢电浆临场清洁。
16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包含沿着该凹陷对一残留氧化物施加氢电浆。
17.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该绝缘层包含二氧化硅。
18.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一层包含一残留氧化物。
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