[发明专利]一种半导体可靠性评估方法及装置

权利要求书

1.一种半导体快速可靠性评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，获取过去监测数据集，借助贝叶斯推理建立实时更新的基准BL数据库，并从基准BL数据库中获得序贯概率比测试SPRT的原假设H₀；

S2，获取当前监测数据样本测试数据，并从所述当前测试样本数据中估计出其分布的参数，并作为序贯概率比测试SPRT的备择假设H₁；

S3，判定备择假设H₁中形状参数是否在可接受范围内且对应的T_0.1％的估计值是否好于下界LSL；

S31，如果所述形状参数不在可接收的范围内或对应的T_0.1％的估计值小于下界LSL，终止测试并查找原因，实施改进行动措施；

S32，如果所述形状参数在可接收的范围内且对应的T_0.1％的估计值大于等于下界LSL，则依据序贯概率比测试SPRT，计算出当前样本与当前基准BL的对数似然比R；

S321当R≤B时，停止抽样，不拒绝原假设H₀；

S322当B<R<A时，无法判断当前结果，重新抽样，继续测试，并转到步骤S2中；

S323当R≥A时，拒绝H₀，终止测试并查找原因，实施改进行动措施；

其中，边界A和B由公式近似得到：

其中，α代表第一类错误,也称为生产者的风险，β表示第二类错误,也称为客户的风险；其中，下界LSL由公式得到：

对于对数正态分布：LSL＝max(exp(μ_0.1％-4σ_0.1％),T_spec)，

其中，T_spec对应于在正常工作下具有10年寿命的T_0.1％，σ_0.1％对应于在T_0.1％下的形状参数，μ_0.1％对应于在T_0.1％下的尺度参数；

对于威布尔分布：

其中，T_spec对应于在正常工作下具有10年寿命的T_0.1％，γ_0.1％对应于在T_0.1％下的形状参数，η_0.1％对应于在T_0.1％下的尺度参数。

2.如权利要求1所述的半导体可靠性评估方法，其特征在于，在步骤S321中，如果所述当前测试对应的T_0.1％的估计值不大于上界USL，将这些测试结果整合到所述基准BL数据库中并利用贝叶斯推理更新所述基准BL数据库；如果所述当前测试对应的T_0.1％的估计值大于上界USL，首先确认失效分析FA可能的原因，若物理机制上具有可行性，则赋予更大权重因子并更新到基准BL数据库。

其中，上界USL由公式得到：

对于对数正态分布：USL＝exp(μ_0.1％+4σ_0.1％)，

其中，T_spec对应于在正常工作下具有10年寿命的T_0.1％，σ_0.1％对应于在T_0.1％下的形状参数，μ_0.1％对应于在T_0.1％下的尺度参数。

对于威布尔分布：

其中，T_spec对应于在正常工作下具有10年寿命的T_0.1％，γ_0.1％对应于在T_0.1％下的形状参数，η_0.1％对应于在T_0.1％下的尺度参数。