[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法

说明书

本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含形成集成组件的方法。第一导电结构形成于绝缘支撑材料内并沿第一间距间隔。去除所述第一导电结构的上部区域以形成延伸穿过所述绝缘支撑材料并在所述第一导电结构的下部区域的上方的第一开口。所述第一开口的外侧周边加衬有间隔材料。所述间隔材料被配置成具有延伸穿过其到所述第一导电结构的所述下部区域的第二开口的导管。导电互连件形成于所述导管内。第二导电结构形成于所述间隔材料和所述导电互连件的上方。所述第二导电结构沿第二间距间隔，其中所述第二间距小于所述第一间距。一些实施例包含集成组件。

技术领域

具有沿第一间距的结构与沿不同于第一间距的第二间距的结构耦接的集成组件，和形成集成组件的方法。

背景技术

集成电路可以包含沿相对紧密(即，较小)间距形成的高集成度的结构以便实现高填充密度。举例来说，存储器单元可以布置于具有高填充密度的配置中。可以利用字线和数字线来寻址存储器单元；其中字线沿第一方向延伸且数字线沿与所述第一方向相交的第二方向延伸。字线和数字线可以沿紧密间距形成以便能够适当寻址紧密装填堆积的存储器单元。

集成电路还可以包含沿相对疏松(即，较大)间距形成的结构。这类结构可以包含逻辑逻辑、字线驱动器、读出放大器、感测器等。使用术语“相对疏松”和“相对紧密”来关联彼此，其中相对疏松间距大于相对紧密间距。

可能需要将沿相对疏松间距形成对结构与沿相对紧密间距形成的结构耦接。举例来说，可能需要将字线驱动器与字线、读出放大器与数字线等耦接。实现这类耦接是困难的，且因此需要研发适用于将沿相对疏松间距形成对结构与沿相对紧密间距形成的结构耦接的方法和架构。

发明内容

根据本发明的一方面，本发明提供一种集成组件，其包括：沿横截面沿第一间距间隔的第一导电结构；所述第一导电结构沿所述横截面具有第一宽度；在所述第一导电结构的上方并沿所述横截面沿第二间距间隔的第二导电结构，所述第二间距小于或等于所述第一间距的约二分之一；所述第二导电结构沿所述横截面具有小于所述第一宽度的第二宽度；所述第二导电结构中的超过一者沿所述横截面直接在所述第一导电结构中的每一者的上方；以及导电互连件，其从所述第一导电结构中的每一者向上延伸以使所述第一导电结构中的每一者与直接在所述第一导电结构中的每一者上方的所述第二导电结构中的仅一者耦接；所述第二导电结构中的一些直接在所述第一导电结构的上方且不经由导电互连件耦接到所述第一导电结构；所述第二导电结构中的所述一些通过插入绝缘材料与所述第一导电结构垂直地间隔开。

根据本发明的另一方面，本发明提供一种形成集成组件的方法，其包括：使第一导电结构形成于绝缘支撑材料内并沿横截面沿第一间距间隔；去除所述第一导电结构的上部区域以形成延伸到所述绝缘支撑材料中并且到所述第一导电结构的剩余下部区域的第一开口；使所述第一开口的外侧周边加衬有间隔材料；所述间隔材料被配置成具有延伸穿过其到所述第一导电结构的所述剩余下部区域的第二开口的导管；使导电互连件形成于所述第二开口内；以及使第二导电结构形成于所述间隔材料和所述导电互连件的上方；所述第二导电结构沿所述横截面沿第二间距间隔，其中所述第二间距小于或等于所述第一间距的约二分之一；所述第二导电结构中的一些沿所述横截面经由所述导电互连件电耦接到所述第一导电结构，并且所述第二导电结构中的一些沿所述横截面直接在所述第一导电结构上方并通过所述间隔材料与所述第一导电结构间隔开。