[发明专利]半导体存储装置

说明书

一种半导体存储装置包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管沿着第一方向设置在基板上方，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。所述全局线沿着所述第一方向仅被设置在所述多个通道晶体管中的一些通道晶体管的第一方向间距内。

技术领域

各种实施方式总体涉及半导体存储装置，更具体地涉及一种包括通道晶体管(pass transistor)的半导体存储装置。

背景技术

半导体存储装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)之类的半导体的存储装置，并且包括易失性存储装置和非易失性存储装置。

易失性存储装置在电力中断时丢失存储在其中的数据。易失性存储装置的示例包括SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存储装置即使在电力中断时也保持存储在其中的数据。非易失性存储装置的示例包括ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、闪速存储器、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁性RAM)、RRAM(电阻式RAM)和FRAM(铁电式RAM)。

发明内容

本发明的各种实施方式涉及一种改进的半导体存储装置。

在一个实施方式中，一种半导体存储装置可包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管在基板上方沿着第一方向设置，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。所述全局线可仅被设置在所述多个通道晶体管当中的一些通道晶体管的第一方向间距内，并且不被设置在所述多个通道晶体管当中的剩余通道晶体管的第一方向间距内。

在一个实施方式中，一种半导体存储装置可包括：平面，所述平面被设置在基板上方，并且包括存储单元阵列和行解码器；以及外围电路，所述外围电路在所述基板上方沿与第一方向交叉的第二方向与所述平面相邻地设置。所述行解码器可包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管沿着所述第一方向设置，并且被配置为向所述存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿所述第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。所述全局线可被设置在一些通道晶体管的第一方向间距内，并且可不设置在剩余通道晶体管的第一方向间距内。

在一个实施方式中，一种半导体存储装置可包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管在基板上方沿着第一方向设置，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。所述全局线的第一方向间距可以小于所述通道晶体管的第一方向间距。

在一个实施方式中，半导体存储装置可包括：第一通道晶体管和第二通道晶体管，其在基板上方沿着第一方向设置，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及至少两条全局线，其形成在所述第一通道晶体管上方的第一布线层中，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。全局线被设置在所述第一通道晶体管上方，并且不设置在所述第二通道晶体管上方。

所述至少两条全局线可包括：第一全局线，其与所述第一通道晶体管对应；以及第二全局线，其与所述第二通道晶体管对应。

半导体存储装置还可包括：第一联接线，其形成在所述通道晶体管与第一布线层之间的第二布线层中，并且与所述第一通道晶体管和所述第一全局线电联接；以及第二联接线，其形成在所述通道晶体管与第一布线层之间的第二布线层中，并且与所述第二通道晶体管和所述第二全局线电联接。所述第二联接线沿所述第一方向延伸。