[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201810985964.4 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109545737A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 岩﨑晃久;赤西勇哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化金属层 基板 基板处理 金属层 原子层 去除 基板处理装置 形成工序 氧化流体 蚀刻液 | ||
1.一种基板处理方法,对表面具有金属层的基板进行处理,包括:
氧化金属层形成工序,通过对所述基板的表面供给氧化流体而在所述金属层的表层形成包含1个原子层或多个原子层的氧化金属层;及
氧化金属层去除工序,通过对所述基板的表面供给蚀刻液而将所述氧化金属层从所述基板的表面选择性地去除。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,交替地多次执行所述氧化金属层形成工序和所述氧化金属层去除工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,为了形成所述氧化金属层,所述氧化金属层形成工序包括将过氧化氢水、过氯酸、硝酸、氨过氧化氢水混合液、臭氧溶存水、氧溶存水、干空气、臭氧气体中的至少一种供给于所述基板的表面的工序。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,为了形成所述氧化金属层,所述氧化金属层形成工序包括将过氧化氢水供给于所述基板的表面的过氧化氢水供给工序。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述氧化金属层去除工序包括将酸性药液供给于所述基板的表面的工序。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其中,所述氧化金属层去除工序包括将稀氢氟酸、盐酸、乙酸、柠檬酸、甘醇酸中的至少一种作为所述酸性药液供给于所述基板的表面的工序。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述氧化金属层去除工序包括将经脱气的蚀刻液供给于所述基板的表面的脱气蚀刻液供给工序。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,进而包括:脱气工序,通过向蚀刻液操槽内的蚀刻液中送入惰性气体而对所述蚀刻液操槽内的蚀刻液进行脱气,且
所述脱气蚀刻液供给工序包括将通过所述脱气工序进行了脱气的蚀刻液供给于所述基板的表面的工序。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,所述脱气蚀刻液供给工序包括一面维持为经脱气的蚀刻液的溶存氧浓度一面将所述经脱气的蚀刻液供给于所述基板的表面的工序。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法,还包括:
基板保持工序,将所述基板保持为水平;及
置换工序,通过朝具备从上方与所述基板相向的相向部的相向构件的所述相向部与所述基板之间的空间供给惰性气体,利用惰性气体对所述空间内的环境进行置换,
其中在利用惰性气体将所述空间内的环境置换后,执行所述脱气蚀刻液供给工序。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,还包括:相向构件配置工序,以从所述相向部向下方延伸且俯视时环绕所述基板的环状部将所述基板从侧方环绕的方式,配置所述相向构件,
其中在所述置换工序开始前,执行所述相向构件配置工序。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其还包括:第一冲洗工序,在所述氧化金属层形成工序和所述氧化金属层去除工序之间执行,通过对所述基板的表面供给第一冲洗液而将附着于所述基板的表面上的氧化流体冲洗掉。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法,其中,所述第一冲洗工序包括:脱气冲洗液供给工序,将经脱气的第一冲洗液供给于所述基板的表面。
14.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,还包括:第二冲洗工序,在所述氧化金属层去除工序之后执行,通过对所述基板的表面供给第二冲洗液而将附着于所述基板的表面上的蚀刻液冲洗掉。
15.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述金属层包含铜层和钴层中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造