[发明专利]一种K2MnGe3S8非线性光学晶体及制法和用途

权利要求书

1.一种K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体，该K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体不具备对称中心，属单斜晶系，空间群为P2₁，其晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝96.13°，Z＝8。

2.一种权利要求1所述K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体的制备方法，所述制备方法为高温熔体自发结晶法生长K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体，其步骤为：

将K源材料、Mn源材料、Ge源材料和S单质按照摩尔比K:Mn:Ge:S＝2：1：3：8的比例混合加热至熔化得高温熔液并保持48-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到K₂MnGe₃S₈晶体；

所述K源材料为K或K₂S或K₂S₃；

所述Mn源材料为Mn或MnS；

所述Ge源材料为Ge或GeS或GeS₂。

3.一种权利要求1所述K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体的制备方法，所述制备方法为坩埚下降法生长K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体，其步骤如下：

将K源材料、Mn源材料、Ge源材料和单质S按照摩尔比K:Mn:Ge:S＝2：1：3：8的比例放入晶体生长装置中，缓慢升温至原料熔化，待原料完全熔化后，晶体生长装置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体生长，其生长周期为5-20天；

所述K源材料为K或K₂S或K₂S₃；

所述Mn源材料为Mn或MnS；

所述Ge源材料为Ge或GeS或GeS₂。

4.一种权利要求1所述的K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体的用途，其特征在于，该K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体用于制备非线性光学器件，所制备的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。