[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810986853.5 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN109712938A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 稻叶祐树;佐藤大树 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/26 分类号: H01L23/26;H01L23/492;H01L21/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王颖;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电性板 封装树脂 半导体装置 半导体元件 合流 流体 长边 区域设置 注入口 绝缘 捕获 制造 剥离
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

导电性板,将半导体元件搭载于该导电性板的正面;以及

封装树脂,将所述导电性板的至少正面封入到该封装树脂的内部,

在所述导电性板的正面,在被封入的所述封装树脂的流体合流的区域设置有捕获气泡的构造。

2.如权利要求1所记载的半导体装置,其特征在于,

所述导电性板为矩形的形状,

所述封装树脂从所述导电性板的长边侧的一个注入口注入,

所述封装树脂的流体合流的区域是隔着所述半导体元件位于与所述封装树脂的注入侧相反的一侧的长边的角的区域。

3.如权利要求1所记载的半导体装置,其特征在于,

所述导电性板为矩形的形状,

所述封装树脂从所述导电性板的长边侧的多个注入口注入,

所述封装树脂的流体合流的区域被设置于与注入所述封装树脂的注入侧相反的一侧的长边的中央。

4.如权利要求1所记载的半导体装置,其特征在于,

所述导电性板为矩形的形状,

所述封装树脂从所述导电性板的短边侧的注入口注入,

所述封装树脂的流体合流的区域被设置于与所述封装树脂的注入侧相反的一侧的短边的中央。

5.如权利要求1至4任一项所记载的半导体装置,其特征在于,

捕获所述气泡的构造被设置为与所述封装树脂的流体的矢量的方向垂直。

6.如权利要求1至5任一项所记载的半导体装置,其特征在于,

捕获所述气泡的构造为槽或孔形状。

7.如权利要求1至6任一项所记载的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置具备层叠基板,所述层叠基板具有在正面搭载了所述半导体元件的导电性板、绝缘基板和散热板,

所述封装树脂将所述半导体元件、所述导电性板和所述绝缘基板封入到内部,并将所述散热板的背面露出。

8.如权利要求7所记载的半导体装置,其特征在于,

在所述导电性板与所述绝缘基板之间具备薄导电板,

在所述薄导电板不设置捕获所述气泡的构造。

9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

第一工序,在导电性板的正面,将捕获气泡的构造形成于封装树脂的流体合流的区域;

第二工序,将半导体元件搭载于所述导电性板的正面;以及

第三工序,注入所述封装树脂,将所述半导体元件和所述导电性板的正面封入到内部。

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