[发明专利]一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜，其特征在于，所述Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜中单层Sb₇₀Se₃₀薄膜和单层Si薄膜交替堆叠排列成多层膜结构。

2.根据权利要求1所述的Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜，其特征在于，单层Sb₇₀Se₃₀薄膜的厚度范围为1～10nm，单层Si薄膜的厚度范围为1～10nm，所述Sb₇₀Se₃₀/Si复合相变薄膜总厚度为50～60nm。

3.根据权利要求1所述的Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜，其特征在于，所述Sb₇₀Se₃₀/Si复合相变薄膜结构符合下列通式：[(Sb₇₀Se₃₀)(a)/(Si)(b)]_n，式中a、b分别表示所述的单层Sb₇₀Se₃₀薄膜和单层Si薄膜的厚度，n表示单层Sb₇₀Se₃₀和单层Si薄膜的交替周期数或者交替层数，且n为正整数；相变薄膜的总厚度可由n与所述单层Sb₇₀Se₃₀和单层Si薄膜的厚度计算所得，即(a+b)*n(nm)。

4.一种制备权利要求1、2或3所述的Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜的方法，其特征在于，所述的Sb₇₀Se₃₀/Si复合相变薄膜采用磁控溅射方法制备，衬底为SiO₂/Si(100)基片，溅射靶材为Sb₇₀Se₃₀和Si，溅射气体为高纯Ar气。

5.根据权利要求4所述的制备Sb₇₀Se₃₀/Si多层复合相变薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将基片洗净烘干待用；

2)在磁控溅射镀膜系统中，将步骤1)洗净的基片放置在基托上，将Sb₇₀Se₃₀和Si合金靶材作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室抽真空；

3)抽真空后向室内通入高纯氩气；

4)开启射频电源，设定Sb₇₀Se₃₀合金靶的溅射功率和Si靶的射频溅射功率；

5)磁控溅射制备[(Sb₇₀Se₃₀)(a)/(Si)(b)]_n多层复合薄膜：

a)首先通过预溅射清洁Sb₇₀Se₃₀靶材和Si靶材表面；

b)清洁完毕后，将待溅射的基片旋转到Sb₇₀Se₃₀靶位，依照设定的溅射时间，溅射Sb₇₀Se₃₀薄膜，溅射结束后得到Sb₇₀Se₃₀薄膜层；

c)将已经溅射了Sb₇₀Se₃₀薄膜层的基片旋转到Si靶位，依照设定的溅射时间，溅射Sb₇₀Se₃₀薄膜，溅射结束后得到Si薄膜层；

d)重复b)和c)两步操作n-1次，即得到[(Sb₇₀Se₃₀)(a)/(Si)(b)]_n复合相变薄膜材料。