[发明专利]一种恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法在审
| 申请号： | 201810987694.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN108831658A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吴琼;黄益红;葛洪良;吴中平;泮敏翔 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学;浙江中科磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 吴秉中 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恒磁场 钕铁硼磁体 合金 薄带 稀土 成分配料 高矫顽力 晶界扩散 纳米粉末 真空熔炼 低熔点 快淬 制备 扩散热处理 母合金铸锭 热处理 高能球磨 合金薄带 合金铸锭 纳米合金 易磁化轴 真空磁场 扩散源 退火炉 自由面 冷面 晶界 涂覆 硬磁 磁场 平行 扩散 | ||
1.一种恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于包括如下步骤：
1）按照NdFeB合金成分称量各原料并进行混合，将混合原料进行真空熔炼，然后快淬甩带制成合金薄带；
2）将低熔点稀土三元Re-Al-Cu合金成分以原子百分含量称重配料，然后将混合原料进行真空熔炼，然后快淬甩带制成合金薄带；
3）将步骤2）制得的Re-Al-Cu薄带经高能球磨后，获得均匀的低熔点稀土三元Re-Al-Cu纳米粉末；
4）将步骤3）制得的低熔点稀土三元Re-Al-Cu纳米粉末涂覆在步骤1）制得的NdFeB合金薄带的自由面和急冷面；
5）将步骤4）制得的薄带合金平行置于在磁场强度为1.5 T的恒磁场退火炉中，进行真空磁场热处理，随后气冷至室温，制得高矫顽力钕铁硼磁体。
2.根据权利要求1 所述的恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为：Nd：30.5~40.1%、Fe：62.3~75.8%、B：0.5~2%、Zr：0.2~1.5%、Co：0.2~1.5%。
3.根据权利要求1 所述的恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：步骤（1）和步骤（2）中快淬甩带的快淬速度为10~45m/s。
4.根据权利要求1 所述的恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：步骤（2）中所述的低熔点稀土三元Re-Al-Cu合金成分的原子百分比为Re100-a-bAlaCub，Re为稀土元素Ce、La、Pr中的一种或几种；a和b满足以下关系：25≤a≤50，25≤b≤50。
5.根据权利要求1 所述的恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：步骤（5）中所述的真空磁场热处理具体工艺参数为：真空度优于5×10-4 Pa，温度为550~750 ℃，保温时间为4-8小时。
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