[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括从下往上依次设置的基板、N型半导体层、活性层、P型半导体层，且活性层、P型半导体层面积小于N型半导体层，以露出部分N型半导体层，还包括位于所述N型半导体层上方且与N型半导体层电性连接的N型焊盘电极、位于所述P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P型焊盘电极、由N型焊盘电极及P型焊盘电极延伸出来的指形电极、位于N型半导体层上方及P型半导体层上方并露出N型焊盘电极及P型焊盘电极的钝化层；所述N型焊盘电极、P型焊盘电极、指形电极均包括从下往上依次设置的欧姆接触层、下部反射层、应力缓和层、导电金属层、上部反射层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层由铬形成，所述下部反射层由铝或银形成，所述应力缓和层由镍、钛或铬形成，所述导电金属层由铂金或金形成。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述上部反射层由铝、银或DBR形成。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型半导体层与P型焊盘电极之间还设置有一透明电极层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述P型半导体层与透明电极层之间的部分区域还设置有电流阻断层，且电流阻断层位于P型焊盘电极的正下方。

6.一种基于权利要求1至5任一所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，首先，在所述P型半导体层上形成欧姆接触层；然后，在所述欧姆接触层上形成下部反射层；而后，在所述下部反射层上形成应力缓和层；再而，在所述应力缓和层上形成导电金属层，最后在所述导电金属层上形成上部反射层；在形成所述上部反射层的过程中，是在所述N型焊盘电极及P型焊盘电极的导电金属层的部分区域上和所述指形电极的导电金属层整个面上形成所述上部反射层的过程。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述欧姆接触层由铬形成，所述下部反射层由铝或银形成，所述应力缓和层由镍、钛或铬形成，所述导电金属层由铂金或金形成。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：在形成所述上部反射层的过程中，是在所述N型焊盘电极及P型焊盘电极和指形电极的导电金属层上形成所述上部反射层，并去除所述N型焊盘电极与P型焊盘电极的部分区域上的上部反射层。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述上部反射层由铝、银或DBR形成。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：还包括在所述P型半导体层的部分区域上形成电流阻断层的过程、以及在所述电流阻断层和所述P型半导体层上形成透明导电层的过程，并且在形成电流阻断层的区域正上方形成P型焊盘电极。