[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板有效
申请号: | 201810988346.5 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109192661B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 张扬;丁录科;周斌;王海涛;刘宁;方金钢;黄勇潮;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板,该薄膜晶体管包括:依次层叠设置的遮光层、第一金属层、绝缘层和混合层;其中,所述第一金属层包括相互间隔的栅极、源极和漏极,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间;所述遮光层包括位于所述栅极和所述源极之间的部分以及位于所述栅极和漏极之间的部分;所述混合层包括第一导体层、第二导体层和有源层。该薄膜晶体管中,通过设置遮光层可避免光线照射对薄膜晶体管的影响,提高薄膜晶体管工作的稳定性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板。
背景技术
有机发光二极管OLED(Organic light-emitting diodes,OLED)具有自发光、视角广和功耗低等优点,显示面板可采用OLED器件作为发光元件,制作成OLED显示面板。
OLED显示面板中的阵列基板上形成有矩阵排列的有机发光单元,有机发光单元包括有机发光二极管和薄膜晶体管。
图1示出了现有技术的一种阵列基板的截面结构示意图,如图1所示,该阵列基板包括衬底基板1和形成在衬底基板1上的薄膜晶体管,薄膜晶体管的结构包括:
依次形成在衬底基板1上的栅极2、栅绝缘层3、有源层4、中间绝缘层5和源极6和漏极7,其中中间绝缘层5上开设有过孔(图中过孔中填充有源极和漏极材料的导电层),源极6和漏极7分别通过过孔与有源层4电连接。
上述结构的薄膜晶体管,栅极和有源层之间为栅绝缘层,栅极的宽度和有源层的宽度(二者沿衬底基板横向方向的长度)基本相同,而显示基板上的布线较多,栅极绝缘层不能起到遮挡光线的作用,作为布线的金属层反射的光线容易透光栅极绝缘层照射到有源层的两侧,因此,影响薄膜晶体管工作的稳定性。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种薄膜晶体管,包括:
依次层叠设置的遮光层、第一金属层、绝缘层和混合层;
其中,所述第一金属层包括相互间隔的栅极、源极和漏极,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间;
所述遮光层包括位于所述栅极和所述源极之间的部分以及位于所述栅极和漏极之间的部分;
所述混合层包括第一导体层、第二导体层和有源层,所述有源层在其厚度方向的投影位于所述栅极在其厚度方向的投影范围内,所述第一导体层和所述第二导体层分别位于所述有源层的两侧,所述第一导体层通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述源极电连接,所述第二导体层通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述漏极电连接。
可选的,还包括:
与所述遮光层位于同层的第二金属层,所述第二金属层包括分别位于所述栅极、所述源极和所述漏极正下方的部分;
所述遮光层与所述第二金属层相连,且所述遮光层的材料为所述第二金属层采用的金属材料的氧化物。
可选的,所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料,所述第一导体层和第二导体层为对所述金属氧化物半导体材料进行导体化后形成的。
根据本发明实施例的第二方面,提供一种薄膜晶体管的制备方法,包括:
依次形成遮光层、第一金属层、绝缘层和混合层;
其中,所述第一金属层包括相互间隔的栅极、源极和漏极,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间;
所述遮光层包括位于所述栅极和所述源极之间的部分以及位于所述栅极和漏极之间的部分;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造