[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管有效
| 申请号： | 201810988705.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110867503B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 制作方法 发光二极管 | ||
1.一种图形化衬底的方法，其特征在于，包括依次进行的掩膜降低阶段、主刻蚀阶段和过刻蚀阶段；其中，
所述掩膜降低阶段：对表面形成有掩膜的衬底以预设的第一刻蚀工艺参数进行刻蚀，所述第一刻蚀工艺参数满足：所述掩膜的刻蚀速率大于所述衬底的刻蚀速率，以降低所述掩膜的高度；所述第一刻蚀工艺参数包括下电极功率，所述第一刻蚀工艺参数的下电极功率的范围为200W～300W；
所述主刻蚀阶段：对经过所述掩膜降低阶段的衬底以预设的第二刻蚀工艺参数进行刻蚀，以提高所述衬底的底宽和拐点夹角；所述第二刻蚀工艺参数包括下电极功率，所述第二刻蚀工艺参数的下电极功率的范围为100W～200W；
所述过刻蚀阶段：对经过所述主刻蚀阶段的衬底的形貌以预设的第三刻蚀工艺参数进行修饰，以获得图形化衬底。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺参数还包括腔室压力，所述腔室压力大于10mT。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述腔室压力的范围为10mT～20mT。
4.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺参数还包括刻蚀气体流量，所述刻蚀气体流量大于150sccm。
5.根据权利要求4所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述刻蚀气体流量的范围为150sccm～200sccm。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述掩膜降低阶段的刻蚀时间的范围为3min～5min。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺参数还包括腔室压力、刻蚀气体流量；
其中，所述腔室压力的范围为2mT～4mT，刻蚀气体流量的范围为100sccm～120sccm。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺参数包括腔室压力、刻蚀气体流量和下电极功率；
其中，所述腔室压力的范围为2mT～3mT，刻蚀气体流量的范围为60sccm～100sccm，下电极功率大于或等于700W。
9.一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底采用权利要求1至8中任意一项所述的图形化衬底的方法制作形成。
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括权利要求9所述的图形化衬底。
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