[发明专利]一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810988744.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109166730B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘明;梁仲帅 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/12;H01G4/008;H01G13/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽温高储能 柔性 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
1.一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器，其特征在于，包括柔性氟晶云母衬底、SrTiO3层、La0.67Sr0.33MnO3层、BaZr0.55Ti0.45O3层和上电极，SrTiO3层设置于柔性氟晶云母衬底表面，La0.67Sr0.33MnO3层设置于SrTiO3层表面，BaZr0.55Ti0.45O3层设置于La0.67Sr0.33MnO3层表面，上电极设置于BaZr0.55Ti0.45O3层表面。
2.根据权利要求1所述的一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器，其特征在于，所述柔性氟晶云母衬底厚度不大于10μm，SrTiO3层的厚度为25-30nm，La0.67Sr0.33MnO3层的厚度为60-70nm，BaZr0.55Ti0.45O3层的厚度为130-135nm。
3.一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器的制备方法，其特征在于，过程如下：
使用脉冲激光沉积技术在柔性氟晶云母衬底上先制备SrTiO3层，使用脉冲激光沉积技术在SrTiO3层表面制备La0.67Sr0.33MnO3层；之后再在La0.67Sr0.33MnO3层表面生长BaZr0.55Ti0.45O3层，最后在BaZr0.55Ti0.45O3层表面制备上电极。
4.根据权利要求3所述的一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器的制备方法，其特征在于，柔性氟晶云母衬底的厚度不大于10μm，SrTiO3层和La0.67Sr0.33MnO3层均为面外单一取向，面内多畴的异质外延薄膜；SrTiO3层的厚度为30nm，La0.67Sr0.33MnO3层的厚度为60nm。
5.根据权利要求3或4所述的一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器的制备方法，其特征在于，使用脉冲激光沉积技术在柔性氟晶云母衬底上制备柔性异质外延的SrTiO3层时，SrTiO3的生长条件为：衬底温度为1000℃，氧压为50mTorr，248nm KrF的激光能量密度为2J/cm3。
6.根据权利要求3或4所述的一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器的制备方法，其特征在于，使用脉冲激光沉积技术制备La0.67Sr0.33MnO3层时La0.67Sr0.33MnO3的生长条件为：衬底温度为950℃，氧压为250mTorr，248nm KrF的激光能量密度为2J/cm3。
7.根据权利要求3所述的一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射镀膜技术制备BaZr0.55Ti0.45O3层，制备BaZr0.55Ti0.45O3层时，衬底温度为850℃，氧压为0.2mbar，溅射功率为100W。
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