[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制备方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将衬底放置到生长反应室；

顺次在所述衬底上生长低温GaN缓冲层、GaN成核层、n型GaN层和发光层，所述发光层为多量子阱结构，所述多量子阱结构包括10个周期的多量子阱垒，阱层为InGaN阱层，垒层为GaN垒层；

生成脉冲信号，并在第一脉冲周期的高电平，输入Ga源至所述生长反应室；在第二脉冲周期的高电平，输入Al源至所述生长反应室；在第三脉冲周期的高电平，输入In源至所述生长反应室；在所述第一脉冲周期的低电平、所述第二脉冲周期的低电平、以及所述第三脉冲周期的低电平，分别输入NH₃至所述生长反应室，以在所述发光层上形成AlInGaN电子阻挡层；所述脉冲信号的第一个脉冲周期为所述第一脉冲周期，紧邻所述第一脉冲周期之后的脉冲周期是所述第二脉冲周期，紧邻所述第二脉冲周期之后的脉冲周期是所述第三脉冲周期，紧邻所述第三脉冲周期之后的脉冲周期是所述第一脉冲周期，所述Ga源为TMGa或者TEGa，当所述Ga源为所述TMGa时，所述TMGa的输入流量为30～50sccm；当所述Ga源为所述TEGa时，所述TEGa的输入流量为1000～1700sccm；所述Al源为TMAl，所述TMAl的输入流量为100～200sccm；所述In源为TMIn，所述TMIn的输入流量为200～400sccm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各个所述脉冲周期为2～80秒，所述脉冲周期的数量为50～200。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述AlInGaN电子阻挡层的厚度为70～140nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NH₃的流量为60～140L/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述第一脉冲周期的低电平输入的NH₃的流量为90～110L/min，

在所述第二脉冲周期的低电平输入的NH₃的流量为60～80L/min，

在所述第三脉冲周期的低电平输入的NH₃的流量为120～140L/min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述AlInGaN电子阻挡层的生长温度为900～100℃，生长压力为50～150torr。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顺次在所述衬底上生长低温GaN缓冲层、GaN成核层、n型GaN层和发光层，包括：

顺次在所述衬底上生长低温GaN缓冲层、GaN成核层和n型GaN层；

以100～300torr为生长压力，在所述n型GaN层生长多量子阱结构；所述多量子阱结构中阱层的生长温度为750～830℃，各个所述阱层的厚度为20～40nm；所述多量子阱结构中垒层的生长温度为830～900℃，各个所述垒层的厚度为60～100nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述AlInGaN电子阻挡层上生长p型GaN层。