[发明专利]半导体器件及其制作方法、半导体器件测试方法有效
| 申请号： | 201810989734.5 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109166843B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 胡杏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 测试 方法 | ||
1.一种半导体器件测试方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底具有功能区和切割道，所述衬底上形成有层间绝缘层和镶嵌在所述层间绝缘层中并用于引出测试信号的插塞；
在所述层间绝缘层上形成导电层，所述导电层包括位于所述插塞上方且与所述插塞电连接的第一导电部、位于所述切割道上方且用作探测区的第二导电部以及连接所述第一导电部和第二导电部的连接部，所述第二导电部与所述第一导电部位于同一层且相互错开；
在所述导电层上形成钝化层，所述钝化层中具有暴露所述第二导电部的探测窗口；
采用探针接触所述第二导电部以进行测试，所述探针接触处的第二导电部产生凸起；
刻蚀去除所述探测窗口下方的第二导电部；以及，
在所述钝化层上方以及探测窗口中形成介质层；
执行化学机械研磨工艺以使所述介质层平坦化，从而形成平坦层。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试方法，其特征在于，刻蚀去除所述探测窗口下方的第二导电部的步骤包括：
在所述钝化层上形成光刻胶层，所述光刻胶层对应所述探测窗口处具有光刻胶开口；
以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述探测窗口下方的第二导电部；以及，
去除所述光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试方法，其特征在于，在所述钝化层上方以及探测窗口中形成所述介质层的步骤包括：
在所述钝化层表面和所述探测窗口中形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层表面形成所述介质层。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试方法，其特征在于，所述测试为晶圆允收测试和/或芯片探测。
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