[发明专利]用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备

说明书

本发明公开了用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉淀设备，包括承接环及覆盖环，所述承接环的内表面上具有环形内凹台，所述环形内凹台设有用于承接基片的第一承接面，所述承接环的顶部设有用于承接所述覆盖环的第二承接面，所述第一承接面通过弧形引导面连接至所述第二承接面，所述覆盖环的内侧设有向下方向厚度逐渐缩小的插接片，所述插接片靠近基片的一侧与基片的边缘紧密贴合。本发明避免由于出现缝隙而造成在基片的侧边镀膜，进一步避免了绕镀。覆盖环能够避免弧形引导面上被镀膜，而造成内凹台直径尺寸的偏差，承接环被覆盖环完全覆盖且表面形成熔射层，进一步防止了承接环被污染。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备。

背景技术

在特定衬底上进行一层物质的沉积已经被广泛应用到一些领域，比如纳米材料制备以及半导体器件制造。要得到所需性能的薄膜材料，必须严格遵守沉积工序。一种技术要进行商业化推广并投入大批量生产，降低成本就成为关键。在工业生产中，为了降低生产成本，在高产出的在线设备中进行薄膜的沉积就更具优势。

采用现有的PVD设备进行工艺成膜时，基片的侧面会有膜沉积，背面也会因为绕镀而有膜出现，在基片的侧面和背面形成的膜，尤其是金属氮化物膜，因为应力较大，在后续湿法清洗和机械抛光时，受外力作用容易脱落形成颗粒，造成基片的二次污染和表面划伤。目前市场上出现了一种用于物理气相沉淀的沉淀环，用以减少基片侧面和背部镀膜，但是，由于结构缺陷，仍不能彻底解决问题。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种用于物理气相沉积的沉积环和和物理气相沉积设备，以解决上述背景技术中存在的问题。

为解决上述技术问题，本发明通过下述技术方案来解决：

用于物理气相沉积的沉积环，包括承接环及覆盖环，所述承接环的内表面上具有环形内凹台，所述环形内凹台设有用于承接基片的第一承接面，所述承接环的顶部设有用于承接所述覆盖环的第二承接面，所述第一承接面通过弧形引导面连接至所述第二承接面，所述覆盖环的内侧设有向下方向厚度逐渐缩小的插接片，所述插接片靠近基片的一侧与基片的边缘紧密贴合，所述插接片靠近弧形引导面的一侧与弧形引导面紧密贴合。

进一步的，所述承接环的内表面上的环形内凹台的数量为多个，所述多个环形内凹台依次连接，且多个环形内凹台上的第一承接面的直径由下至上逐渐增大。

进一步的，所述插接片靠近基片的一侧的面为竖直设置。

进一步的，所述弧形引导面与水平面的夹角为50至70度，所述插接片的形状与所述弧形引导面和基片边缘形成的缝隙相适配。

进一步的，所述覆盖环上形成有开口向下的容纳槽，所述容纳槽与所述承接环限位配合。

进一步的，所述覆盖环的外表面经过熔射处理，以在所述覆盖环的外表面形成熔射层。

进一步的，所述覆盖环的内径与所述基片的外径相同。

本发明还提供了一种物理气相沉淀设备，所述物理气相沉淀设备具有物理气相沉淀腔室，在所述物理气相沉淀腔室中设有所述的沉积环。

本发明相比现有技术具有以下优点及有益效果：