[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810990558.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109244122A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘钺杨;金锐;和峰;董少华;刘江;冷国庆;温家良;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属电极层 衬底 凸起 半导体器件 半导体层 不连续 压接力 绝缘 第一导电类型 导电类型 横向形变 制备 半导体技术领域 凹凸结构 垂直压力 应力损伤 垂直 施加 缓解 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第二导电类型的第一半导体层，形成在所述衬底上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；
多个不连续的第一绝缘凸起，形成在所述第一半导体层上；
第一金属电极层，形成在所述多个不连续的第一绝缘凸起上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘凸起的高度为相邻两个所述第一绝缘凸起之间的间距为1μm-100μm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属电极层的厚度为1μm-100μm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘凸起的材料为二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、无掺杂硅玻璃、氮化硅或氮氧化硅中的一种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层包括至少一层金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层的材料为铝、钛、镍、银或铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
具有所述第一导电类型的第二半导体层，形成在所述衬底的另一表面上；
多个不连续的第二绝缘凸起，形成在所述第二半导体层上；
第二金属电极层，形成在所述多个不连续的第二绝缘凸起上。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为绝缘栅双极晶体管、快恢复二极管或栅极控制晶体管。
9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
在第一导电类型的衬底上形成第二导电类型的第一半导体层；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
在所述第一半导体层上形成多个不连续的第一绝缘凸起；
在所述多个不连续的第一绝缘凸起上形成第一金属电极层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述第一半导体层上形成多个不连续的第一绝缘凸起包括：
在所述第一半导体层上形成介质层；
对所述介质层进行图案化去除掉一部分所述介质层暴露出所述第一半导体层表面，以形成所述多个不连续的第一绝缘凸起。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘凸起的高度为相邻两个所述第一绝缘凸起之间的间距为1μm-100μm。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一金属电极层的厚度为1μm-100μm。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底的另一表面形成具有所述第一导电类型的第二半导体层；
在所述第二半导体层上形成多个不连续的第二绝缘凸起；
在所述多个不连续的第二绝缘凸起上形成第二金属电极层。
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