[发明专利]一种双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器

权利要求书

1.一种双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，包括第一偏振激光增益系统、第二偏振激光增益系统、偏振合成透镜；所述偏振合成透镜用于将第一偏振激光增益系统激发的振荡光与第二偏振激光增益系统激发的振荡光合成为一束激光；所述第一偏振激光增益系统包括第一激励装置、第二激励装置、第一激光晶体；所述第一激励装置用于出射第一光线从第一激光晶体的一端入射聚焦到第一激光晶体，第二激励装置用于出射第二光线从第一激光晶体的另一端入射聚焦到第一激光晶体；所述第二偏振激光增益系统包括第三激励装置、第四激励装置、第二激光晶体；所述第三激励装置用于出射第三光线从第二激光晶体的一端入射聚焦到第二激光晶体，第四激励装置用于出射第四光线从第二激光晶体的另一端入射聚焦到第二激光晶体。

2.根据权利要求1所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述第一激励装置包括第一半导体激光泵浦源组件、第一半导体激光泵浦源热补偿镜；所述第一半导体激光泵浦源组件用于出射第一泵浦光，且第一泵浦光经第一半导体激光泵浦源热补偿镜的透射后从第一激光晶体的一端入射聚焦到第一激光晶体；所述第二激励装置包括第二半导体激光泵浦源组件、第二半导体激光泵浦源热补偿镜；所述第二半导体激光泵浦源组件用于出射第二泵浦光，且第二泵浦光经第二半导体激光泵浦源热补偿镜的透射后从第一激光晶体的另一端入射聚焦到第一激光晶体；所述第三激励装置包括第三半导体激光泵浦源组件、第三半导体激光泵浦源热补偿镜；所述第三半导体激光泵浦源组件用于出射第三泵浦光，且第三泵浦光经第三半导体激光泵浦源热补偿镜的透射后从第二激光晶体的一端入射聚焦到第二激光晶体；所述第四激励装置包括第四半导体激光泵浦源组件、第四半导体激光泵浦源热补偿镜；所述第四半导体激光泵浦源组件用于出射第四泵浦光，且第四泵浦光经第四半导体激光泵浦源热补偿镜的透射后从第二激光晶体的另一端入射聚焦到第二激光晶体。

3.根据权利要求2所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述第一激光晶体激发的振荡光偏振方向呈竖直方向；所述第二激光晶体激发的振荡光偏振方向呈水平方向；所述偏振合成透镜用于将第一偏振激光增益系统激发的振荡光与第二偏振激光增益系统激发的振荡光合成为一束激光；所述偏振合成透镜的法线方向与合成后光路方向呈布儒斯特角，第一偏振激光增益系统布置于偏振合成透镜的反射光路上，第二偏振激光增益系统布置于偏振合成透镜的透射光路上。

4.根据权利要求1所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述绿光激光器还包括布置在偏振光合成后的光路上的Q开关、绿光输出镜；所述Q开关位于绿光输出镜与偏振合成透镜之间；所述绿光输出镜的法线与偏振光合成后的光路方向形成第一夹角α。

5.根据权利要求4所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述绿光激光器还包括倍频晶体、平面反射镜；所述倍频晶体布置于绿光输出镜的反射光路上；所述平面反射镜布置于倍频晶体的远离绿光输出镜的一侧。

6.根据权利要求5所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述绿光输出镜采用第一平面透镜，其靠近Q开关一面镀振荡光高反膜以及倍频光高透膜；所述平面反射镜采用第二平面透镜，其靠近倍频晶体一面镀振荡光高反膜。

7.根据权利要求1所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述第一半导体激光泵浦源热补偿镜、第二半导体激光泵浦源热补偿镜采用第一平凸透镜，两者的凸面均靠近第一激光晶体布置；所述第二半导体激光泵浦源热补偿镜的法线与第一激光晶体的振荡光方向形成第二非直夹角β。

8.根据权利要求7所述的双端泵浦偏振合成腔内倍频高功率绿光激光器，其特征在于，所述第三半导体激光泵浦源热补偿镜、第四半导体激光泵浦源热补偿镜采用第一平凸透镜，两者的凸面均靠近第二激光晶体布置；所述第三半导体激光泵浦源热补偿镜的法线与第二激光晶体的振荡光方向形成第三非直夹角θ。