[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：元胞结构包括自下而上依次设置的漏极金属(1)、碳化硅N⁺衬底(2)及碳化硅N^-外延层(3)；所述碳化硅N^-外延层(3)左上方具有碳化硅P+区(4)，所述碳化硅N^-外延层(3)右上方具有台面结构，所述台面结构包括碳化硅P型基区(10)、碳化硅N+源区(11)和碳化硅P+接触区(12)，所述碳化硅N+源区(11)和碳化硅P+接触区(12)位于碳化硅P型基区(10)上方，所述台面结构左侧、碳化硅N^-外延层(3)上方具有栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层(5)、多晶硅栅(6)以及栅电极(9)，多晶硅栅(6)由栅介质层(5)包围，其上方通过栅电极(9)引出；所述栅电极(9)底部高度等于所述台面结构顶部高度，所述台面结构深度浅于栅极结构，所述碳化硅P型基区(10)、碳化硅N+源区(11)与栅极结构紧密接触，所述栅极结构左侧、碳化硅P+区(4)上方以及部分碳化硅N^-外延层(3)上方具有肖特基接触金属(13)，肖特基接触金属(13)与碳化硅N^-外延层(3)表面直接接触，形成具有整流特性的肖特基接触；所述器件表面由一层源极金属(7)覆盖，所述源极金属(7)与栅电极(9)通过硼磷硅玻璃BPSG(8)相互隔离；

所述肖特基接触金属(13)右侧覆盖了栅极结构底部区域。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述栅极结构底部区域具有碳化硅P+区(4)。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述栅极结构底部区域具有分离栅结构。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述肖特基接触金属(13)区域替代为多晶硅(14)。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：碳化硅材料用Si、Ge、GaAs、GaN、金刚石、硅锗、氧化镓半导体材料代替。