[发明专利]一种碳化硅沟槽MOS器件

权利要求书

1.一种碳化硅沟槽MOS器件，包括N+衬底层（1）以及位于N+衬底层（1）上表面的N型外延层（2）；所述N+衬底层（1）的底部引出漏极电极；在N型外延层（2）上层嵌入设置有槽栅结构；

在N型外延层（2）上层与槽栅结构并列的区域，沿器件垂直方向自下而上依次具有P型埋层（3）、JFET区（4）、P型阱区（5）以及N+源区（6）；

将器件横向剖面图定义为直角坐标平面，即器件横向方向为x轴，器件垂直方向为y轴，定义器件纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向，即z轴，x轴、y轴和z轴构成三维坐标系；

沿z轴方向的中部，具有P+体接触区（7），且P+体接触区（7）沿y轴方向依次贯穿N+源区（6）、P型阱区（5）和JFET区（4），P+体接触区（7）的底部与P型埋层（3）相接；所述N+源区（6）和P+体接触区（7）的上表面引出源极电极；

沿z轴方向，所述P型埋层（3）具有凸起结构，P型埋层（3）的中部区域沿x轴方向延伸，且该凸起结构部位位于P+体接触区（7）正下方；

所述槽栅结构呈“T”字形，即由栅极导电材料（8）和栅介质层（9）组成浅且宽的导电槽、位于导电槽下方深且窄的介质槽（10）；所述导电槽的底部与P型埋层（3）的顶部相接触；所述介质槽（10）垂直贯穿P型埋层（3）且延伸入N型外延层（2）；所述栅极导电材料（8）引出栅极电极。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，所述介质槽（10）中填充的介质为低K介质，所述低K介质是指K值小于等于二氧化硅K值的介质。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，所述介质槽（10）中填充的介质为高K介质，所述高K介质是指K值大于二氧化硅K值的介质。

4.根据权利要求2或3所述的一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，所述介质槽（10）的侧面和底面具有P型条（11），所述N型外延层（2）与所述P型条（11）形成超结。