[发明专利]碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法及电子器件

权利要求书

1.一种碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法，其特征在于，所述方法包括：在所述碳纳米管薄膜形成后或在制备基于所述碳纳米管薄膜的电子器件的过程中，通过含氢等离子体与所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，以去除所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物；

其中，通过含氢等离子体与所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应的步骤包括：

将所述碳纳米管薄膜置于真空反应腔室中；

在所述真空反应腔室中提供所述含氢等离子体，包括向所述真空反应腔室分别通入惰性气体和氢气；或者通入氨气；或者分别通入氟化氮气体和氢气；或者通入氟化氮和氢气的混合气体；以及

所述含氢等离子体与所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，以去除所述高分子聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过电感耦合、电容耦合或回旋电子共振来激发所述真空反应腔室通入的气体，以产生所述含氢等离子体，使得所述含氢等离子体还原所述高分子聚合物，形成可挥发性还原反应产物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空反应腔室的真空度小于200毫托。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空反应腔室的处理温度为室温至200摄氏度。

5.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括根据权利要求1至4任一项所述的方法制成的碳纳米管薄膜。