[发明专利]碳纳米管场效应管的制备方法、制备装置及电子器件

权利要求书

1.一种碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在所述碳纳米管薄膜场效应晶体管的源电极和漏电极形成之前，通过含氢等离子体去除所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物，以减小所述碳纳米管薄膜场效应晶体管的关态电流及亚阈值摆幅。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过含氢等离子体去除所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物的步骤包括：

将所述碳纳米管薄膜置于真空反应腔室中；

在所述真空反应腔室中提供所述含氢等离子体；以及

使所述含氢等离子体与所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，来去除所述高分子聚合物。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述真空反应腔室中提供所述含氢等离子体的步骤包括：向所述真空反应腔室提供能够被激发出含氢等离子体的气体。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，向所述真空反应腔室分别通入惰性气体和氢气；或者通入惰性气体和氢气的混合气体；或者通入氨气；或者分别通入氟化氮气体和氢气；或者通入氟化氮和氢气的混合气体。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，通过电感耦合、电容耦合或回旋电子共振来激发所述真空反应腔室通入的气体，以产生所述含氢等离子体，使得所述含氢等离子体还原所述高分子聚合物，形成可挥发性还原反应产物。

6.如权利要求2至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述真空反应腔室的真空度小于500毫托。

7.如权利要求2至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述真空反应腔室的处理温度为室温至200摄氏度。

8.一种碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备装置，其特征在于，所述制备装置包括：

真空反应腔室，用于在所述碳纳米管薄膜场效应晶体管的源电极和漏电极形成之前，容纳所述碳纳米管薄膜；

气体通入装置，用于向所述真空反应腔室中分别通入惰性气体和氢气；或者通入惰性气体和氢气的混合气体；或者通入氨气；或者分别通入氟化氮气体和氢气；或者通入氟化氮和氢气的混合气体；以及

激发装置，用于激发所述真空反应腔室通入的气体，以产生含氢等离子体，

其中，通过所述含氢等离子体去除所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物，以减小所述碳纳米管薄膜场效应晶体管的关态电流及亚阈值摆幅。

9.如权利要求8所述的制备装置，其特征在于，所述真空腔室的真空度小于500毫托，以及所述真空反应腔室的处理温度为室温至200摄氏度。

10.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括根据权利要求1至7任一项所述的方法制成的碳纳米管薄膜场效应晶体管或者根据权利要求8或9所述的装置制成的碳纳米管薄膜场效应晶体管。