[发明专利]高抗闩锁能力的IGBT器件

权利要求书

1.一种高抗闩锁能力的IGBT器件，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型基区；其特征是：

所述元胞区包括若干元胞，每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，所述元胞沟槽位于第二导电类型基区内，且元胞沟槽的槽底位于所述第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；

在所述IGBT器件的截面上，元胞沟槽槽底的宽度大于元胞沟槽槽口的宽度，在元胞沟槽内的侧壁以及底壁设置栅氧化层，在设置栅氧化层的元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅；在元胞沟槽相对应外侧壁的第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与邻近元胞沟槽的外侧壁接触；

在相邻的元胞沟槽之间设置源极接触孔，所述源极接触孔贯穿第二导电类型基区，源极接触孔的孔底位于第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；所述源极接触孔包括位于上部的第一孔区以及位于下部的第二孔区，所述第一孔区的宽度大于第二孔区的宽度，第一孔区与第二孔区相互连通，在所述第二孔区的内壁上设置接触孔电介质层；

在所述IGBT器件的截面上，第一导电类型漂移区的上方还设置源极金属层以及栅极金属层，所述源极金属层填充在源极接触孔的第一孔区以及第二孔区内，且源极金属与第二导电类型基区、第一导电类型源区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的高抗闩锁能力的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述源极接触孔的第一孔区与元胞沟槽的槽底交叠。

3.根据权利要求1所述的高抗闩锁能力的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，第二孔区的孔底与元胞沟槽的槽底的上边缘在同一水平面上，第二孔区与元胞沟槽的外壁之间的间隙至少为1μm。

4.根据权利要求1所述的高抗闩锁能力的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述第一孔区的深度不小于第一导电类型源区的深度。

5.根据权利要求1所述的高抗闩锁能力的IGBT器件，其特征是：所述接触孔电介质层包括氧化硅或氮化硅，接触孔电介质层的厚度为

6.根据权利要求1所述的高抗闩锁能力的IGBT器件，其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区上设置集电极金属层，所述集电极金属层与第二导电类型集电区欧姆接触。