[发明专利]一种漏电LED芯片的检测方法

说明书

本发明公开了一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，漏电LED芯片检测率高。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种漏电LED芯片的检测方法。

背景技术

Micro LED作为一项新兴技术，Micro LED既继承了OLED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性。

传统LED芯片漏电检测方式是采用点测机进行检测，点测机检测过程为机器将蓝膜真空吸附固定后，其视觉系统对蓝膜上的LED晶粒进行全片扫描，得到LED晶粒的逻辑位置图(MAP)，根据LED晶粒的物理位置，将待测的LED晶粒移动到测针下，使LED晶粒的两极与探针接触，提供测试回路。

但由于Micro LED芯片面积过小，尺寸一般小于100微米，测针难以与Micro LED芯片的两极接触，容易出现漏测或者检测不正常。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种漏电LED芯片的检测方法，可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，漏电LED芯片检测率高。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种漏电LED芯片的检测方法，操作简单，效率高。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：

对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；

采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。

作为上述方案的改进，LED芯片的加热温度为100-650℃。

作为上述方案的改进，LED芯片的加热温度为300-600℃。

作为上述方案的改进，LED芯片的加热温度为500-600℃。

作为上述方案的改进，LED芯片的尺寸为30-100微米。

作为上述方案的改进，LED芯片的尺寸为30-60微米。

作为上述方案的改进，采用红外光显微镜对加热后的LED芯片进行扫描，红外光显微镜上显示颜色的地方为漏电LED芯片。

作为上述方案的改进，所述LED芯片为倒装LED芯片或垂直LED芯片。

作为上述方案的改进，对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热的方法包括：将LED芯片放在烤盘上，然后将装有LED芯片的烤盘放在烤箱内进行加热。

作为上述方案的改进，所述烤盘为透明烤盘。

实施本发明，具有如下有益效果：

本发明将LED芯片进行加热，其中，有缺陷的LED芯片(漏电LED芯片)经高温加热后，放电放热会聚集在缺陷区域，然后对LED芯片进行红外扫描，由于漏电LED芯片的热量聚集在缺陷区域，LED芯片自发光谱，通过红外扫描，就可以检测出哪些LED芯片存在缺陷，从而检测出漏电LED芯片。具体的，在显示界面上漏电LED芯片的地方会显示颜色，正常LED芯片的扫描显示区域为黑白色。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，准确率高。

附图说明

图1是本发明一种漏电LED芯片的检测方法流程图；