[发明专利]发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201810993769.6 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427567B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 山口一树;竹田阳树;住友新隆 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陆悦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种发光元件的制造方法，其特征在于，具备：
激光照射工序，对包括衬底和半导体构造的晶片的所述衬底照射激光，在所述衬底的内部形成多个改性区域，所述衬底由蓝宝石组成，具有第一面及第二面，所述半导体构造设于所述第二面；
分离工序，在所述激光照射工序之后将所述晶片分离成多个发光元件；
所述激光照射工序包括第一照射工序和第二照射工序，
所述第一照射工序沿多个第一线以所述激光进行扫描，其中，所述多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述第一方向平行于所述第一面，所述第二方向平行于所述第一面且与所述第一方向交叉，
所述第二照射工序沿多个第二线以所述激光进行扫描，其中，所述多个第二线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列，
所述多个第一线在所述第二方向上的第一间距大于所述多个第二线在所述第一方向上的第二间距，
所述第一照射工序中所述激光沿着多个第一线之一进行照射时，所述激光对沿着所述第一方向的多个第一位置进行照射，沿着所述第一方向的所述多个第一位置的第一照射间距为2.0μm以下，
所述分离工序包括第一分离工序和第二分离工序，
所述第一分离工序沿所述多个第二线将所述晶片分离成多个条，
所述第二分离工序在所述第一分离工序之后沿所述多个第一线将所述条分离成所述多个发光元件，
所述第二照射工序中所述激光沿着多个第二线之一进行照射时，所述激光对沿着所述第二方向的多个第二位置进行照射，沿着所述第二方向的所述多个第二位置的第二照射间距为3.0μm以上且3.5μm以下，
所述第一方向沿着所述衬底的a轴，所述第二方向沿着所述衬底的m轴。
2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
所述第二间距为300μm以下。
3.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
所述第一照射工序及所述第二照射工序中的所述激光的输出为100mW以上且150mW以下。
4.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
所述第一照射工序及所述第二照射工序中的所述激光的输出为100mW以上且150mW以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第一照射工序之后，实施所述第二照射工序。
6.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
所述第一间距为1mm以上。
7.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
在所述第一照射工序中，沿着多个第一线以所述激光进行扫描，形成相互重叠的所述多个改性区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
