[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一第一光刻胶层于具有多个下方结构的一基板上；

以一射线曝光该第一光刻胶层；

以一显影溶液显影曝光的该第一光刻胶层；以及

形成一平坦化层于显影的该第一光刻胶层上，

其中所述多个下方结构包括多个凹陷部分，以及

所述多个凹陷部分包括一第一组与一第二组，该第一组中的所述多个凹陷部分未填有显影的该第一光刻胶层，而该第二组中的所述多个凹陷部分被显影的该第一光刻胶层填满。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该平坦化层的组成为一有机材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该平坦化层的组成为不同于该第一光刻胶层的一光刻胶。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该平坦化层的光学特性不同于该第一光刻胶层的光学特性。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该平坦化层与该第一光刻胶层的组成中，聚合物结构、酸活性分子、光酸产生剂用量、淬息剂用量、发色团、交联剂、与溶剂的至少一者不同。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该平坦化层与该第一光刻胶层的组成相同。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该平坦化层的组成为底抗反射涂层材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中：

该基板包括一第一区与一第二区；

该第一区的所述多个凹陷部分相对于该第一区的所有面积的比例，不同于该第二区的所述多个凹陷部分相对于该第二区的所有面积的比例；以及

该第一区中填有显影的该第一光刻胶层的所述多个凹陷部分相对于该第一区中所有所述多个凹陷部分的比例，不同于该第二区中填有显影的该第一光刻胶层的所述多个凹陷部分相对于该第二区中所有所述多个凹陷部分的比例。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中：

该第一区的所述多个凹陷部分相对于该第一区的所有面积的比例，小于该第二区的所述多个凹陷部分相对于该第二区的所有面积的比例；以及

该第一区中填有显影的该第一光刻胶层的所述多个凹陷部分相对于该第一区中所有所述多个凹陷部分的比例，小于该第二区中填有显影的该第一光刻胶层的所述多个凹陷部分相对于该第二区中所有所述多个凹陷部分的比例。

10.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中曝光该第一光刻胶层之前，该第一光刻胶层填入所有的所述多个凹陷部分。

11.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一光刻胶层于具有一目标区的一基板上，且该目标区具有多个下方结构；

以一射线曝光该光刻胶层；

以一显影溶液显影曝光的该光刻胶层；

形成一平坦化层于显影的该光刻胶层上，

其中所述多个下方结构包括多个凹陷部分；

显影的该光刻胶层的顶部高于所述多个下方结构的顶部，且所述多个凹陷部分包括一第一组与一第二组，该第一组中的所述多个凹陷部分未填有显影的该光刻胶层，而该第二组中的所述多个凹陷部分被显影的该光刻胶层填满；以及

该目标区中的显影的该光刻胶层具有体积Ve，形成该光刻胶层之前的该目标区中的所述多个凹陷部分具有体积Vi，且0.9ViVe1.1Vi。

12.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中0.95ViVe1.05Vi。

13.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中显影的该光刻胶层包括线路与空间图案。