[发明专利]药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置有效
申请号: | 201810994507.1 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109545704B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 西出基;伊豆田崇;林孝俊;福井克洋;冈本浩一;藤田和宏;三浦淳靖;小林健司;根来世;辻川裕贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 药液 生成 方法 装置 处理 | ||
1.一种药液生成方法,生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液,所述药液生成方法的特征在于,包括:
将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比的工序;
操作第1流量调整阀而从含氧气体配管以第1流量供给所述含氧气体至混合气体配管,并操作第2流量调整阀而从含惰性气体配管以第2流量供给所述含惰性气体至所述混合气体配管,以在所述混合气体配管内生成所述含氧气体与所述含惰性气体的混合气体的工序,其中所述第1流量与所述第2流量的流量比对应所述混合比;以及
气体溶解工序,通过将所述混合气体供给至药液来使所述混合气体溶解至药液中,以调整药液的溶解氧浓度。
2.根据权利要求1所述的药液生成方法,其特征在于,所生成的药液包括含有四甲基氢氧化铵的药液。
3.根据权利要求1或2所述的药液生成方法,其特征在于,所述气体溶解工序包括通过在药液中喷出所述含氧气体及所述含惰性气体来使药液中产生气泡的工序。
4.根据权利要求1或2所述的药液生成方法,其特征在于,成为所述气体溶解工序的对象的药液包括从处理单元回收的药液。
5.根据权利要求1或2所述的药液生成方法,其特征在于,还包括:
测定工序,测定由所述气体溶解工序进行气体溶解后的药液中的溶解氧浓度;
惰性气体溶解工序,在所述测定工序测定出的溶解氧浓度高于所述目标溶解氧浓度的情况下,将所述含惰性气体供给至由所述气体溶解工序进行气体溶解后的药液,由此使所述含惰性气体溶解至由所述气体溶解工序进行气体溶解后的药液中;以及
含氧气体溶解工序,在所述测定工序测定出的溶解氧浓度低于所述目标溶解氧浓度的情况下,将所述含氧气体供给至由所述气体溶解工序进行气体溶解后的药液,由此使所述含氧气体溶解至由所述气体溶解工序进行气体溶解后的药液中。
6.一种药液生成方法,生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液,所述药液生成方法的特征在于,包括:
气体溶解工序,通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中,并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度,
所述气体溶解工序包括:
第1气体溶解工序,通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为规定的混合比来调整药液的溶解氧浓度;以及
第2气体溶解工序,针对由所述第1气体溶解工序进行气体溶解后的药液,将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与所述目标溶解氧浓度相对应的混合比,由此来调整药液的溶解氧浓度。
7.根据权利要求6所述的药液生成方法,其特征在于,所述第1气体溶解工序中所述含氧气体的供给流量相对于所述含惰性气体的供给流量的所述混合比与所述第2气体溶解工序中所述含氧气体的供给流量相对于所述含惰性气体的供给流量的所述混合比相等。
8.根据权利要求6所述的药液生成方法,其特征在于,所述第1气体溶解工序中所述含氧气体的供给流量相对于所述含惰性气体的供给流量的所述混合比低于所述第2气体溶解工序中所述含氧气体的供给流量相对于所述含惰性气体的供给流量的所述混合比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810994507.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置及基板处理方法
- 下一篇:基板清洗方法以及基板清洗装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造