[发明专利]一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法

说明书

本发明涉及一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法。将磁性材料预先处理于LED的正电极面；将磁性材料喷涂于接收基板上，后贴附ACF，同时将共阴基板贴附上ACF；结合网板与磁性材料控制电路，将LED贴附于接收基板上，后施加一定温度、压力，进行bonding；将共阴基板施加一定温度、压力后，进行bonding。本发明方法能够实现垂直结构mLED或uLED巨量转移。

技术领域

本发明涉及一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法。

背景技术

液晶显示器，构造是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶，下基板玻璃上设置TFT（薄膜晶体管），上基板玻璃上设置彩色滤光片，通过TFT上的信号与电压改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到控制每个像素点偏振光出射与否而达到显示目的。传统液晶显示器，需要背光提供光源。传统的液晶显示器因其自身构造，就造就了其对比度、色彩饱和度、寿命等较差等问题，同时由于其需求背光提供光源，因此传统液晶显示器薄型化方面也受限。本发明一种实现垂直结构mLEDuLED Display巨量转移的方法，能够实现mLED/uLEDDisplay，此显示器为自发光型，也就是将LED结构设计进行薄膜化、及阵列化后，巨量转移到电路基板上，形成小间距的LED。同时它还能够实现每个像素单独定址、单独驱动发光(自发光)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法，能够实现垂直芯片 uLED巨量转移。

为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法，首先，将磁性材料喷涂于LED的正电极面；而后，将磁性材料喷涂于接收基板上；再而，结合网板与磁性材料控制电路，将LED贴附于接收基板上，并使LED与接收基板贴附导通；最后，将共阴极基板与接收基板进行压合；该方法具体实现步骤如下：

步骤S1、LED预处理：

（1.1）在LED衬底上的LED正电极面喷涂上磁性材料；

（1.2）将LED切割成pcs形态；

步骤S2、接收基板预处理：

（2.1）在接收基板上喷涂磁性材料，且磁性材料的磁性由磁性材料控制线路控制；

（2.2）将非RGB区域的磁性材料去除；

（2.3）在已喷涂磁性材料的接收基板上贴附ACF；

步骤S3、共阴极基板预处理：

（3.1）在共阴极基板可视区范围内布上阴极走线，而后在阴极走线上方贴附ACF；

步骤S4、LED转移：

（4.1）采用真空吸附将预处理的接收基板吸附于一机台上；

（4.2）根据需转移的LED类型在机台上面设置与该LED类型相对应的网板；

（4.3）将需转移的LED类型的LED置于网板上；接通接收基板上与该LED类型相对应位置的磁性材料控制线路，使得接收基板上与该LED类型相对应位置具有磁性，同时震动网板，使得该LED类型的LED具有磁性的一侧吸附于接收基板上与该LED类型相对应位置；

（4.4）将接收基板进行加热，同时施加压力，使该LED类型的LED与接收基板贴附导通；

（4.5）重复步骤（4.2）-（4.4），进行其他LED类型的LED的转移；

（4.6）待所有LED类型的LED转移完成后，将共阴极基板与接收基板进行压合。

在本发明一实施例中，所述步骤（2.1）之前还需在接收基板上按需设计LED回路。