[发明专利]气体传感器元件以及气体传感器有效

专利信息
申请号: 201810994755.6 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109425645B 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 中务卓哉;水谷正树 申请(专利权)人: 日本特殊陶业株式会社
主分类号: G01N27/419 分类号: G01N27/419;G01N27/409
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨海荣;穆德骏
地址: 日本爱知*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 气体 传感器 元件 以及
【权利要求书】:

1.一种气体传感器元件,具备:包含1个以上检测部的元件本体、以及以包覆所述检测部的构成与所述元件本体一体地设置的多孔状的保护层,所述检测部具有固体电解质体、以及分别配置于所述固体电解质体的一侧的面以及另一侧的面的一对电极,

所述元件本体内含加热器,所述加热器是通过通电而发热的发热体、且将所述检测部加热,

所述保护层具有第1保护层以及第2保护层,

所述第1保护层是通过贵金属催化剂负载于以白色系陶瓷为主成分的载体上而成,

所述第2保护层以白色系陶瓷为主成分,所述第2保护层为没有负载贵金属催化剂的层、或者为贵金属催化剂的负载量少于所述第1保护层且在最外表面处各边为5μm的正方形以内包含平均1粒以下贵金属催化剂的层,所述第2保护层覆盖所述第1保护层的外侧,所述第2保护层自身的表面的至少一部分构成为所述保护层的最外表面,且所述第2保护层的厚度比所述第1保护层小,

所述保护层具有第3保护层,

所述第3保护层以白色系陶瓷为主成分,所述第3保护层为没有负载贵金属催化剂的层、或者为贵金属催化剂的负载量少于所述第1保护层且在最外表面处各边为5μm的正方形以内包含平均1粒以下贵金属催化剂的层,所述第3保护层配置于所述第1保护层的内侧,

所述第3保护层的厚度比所述第1保护层小且比所述第2保护层大。

2.根据权利要求1所述的气体传感器元件,其中,所述第1保护层以及所述第2保护层均以相同的陶瓷材料为主成分。

3.根据权利要求1所述的气体传感器元件,其中,所述第1保护层、所述第2保护层、以及所述第3保护层均以相同的陶瓷材料为主成分。

4.根据权利要求1或3所述的气体传感器元件,其中,所述第3保护层的平均气孔径大于所述第1保护层的平均气孔径。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的气体传感器元件,其中,

所述保护层的白色系陶瓷是氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、莫来石(Al2O3-SiO2)、尖晶石(MgAl2O4)、堇青石(MgO-Al2O3-SiO2)之中的一者,或者包含它们之中的二者以上的混合物。

6.一种气体传感器,具备:权利要求1至3中任一项所述的气体传感器元件、以及保持所述气体传感器元件的壳体。

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