[发明专利]一种铝基覆铜板的制备方法

权利要求书

1.一种铝基覆铜板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1、将铝板装好夹具，除油清洗后将它的一面或者两面进行微弧氧化，使在其一个表面或两个表面形成的一层微弧氧化膜作为绝缘导热层，所述微弧氧化膜是晶体三氧化二铝膜，微弧氧化膜厚度为5μm～75μm，主要由晶体α-Al₂O₃、γ-Al₂O₃组成，微弧氧化过程的工作温度为：20～50℃；

步骤2、清洗烘干后，将其放入真空室中，在其微弧氧化膜上按顺序进行等离子体束清洗活化、类金刚石膜沉积、离子注入第一金属离子、等离子体沉积第一金属、等离子体沉积金属铜工序的处理；

其中：

等离子体束清洗活化为采用气体离子源对铝板的两个表面进行等离子体束清洗活化，工作气体为氩气、氮气、其它惰性气体或它们的混合气，真空度为0.01～20Pa，电压为500～1500V，占空比60％～90％，清洗活化的工艺温度为常温～400℃；

在铝板的两个表面上进行类金刚石膜沉积，类金刚石膜沉积采用：以乙炔或甲烷为工作气体，电压：1500～3500V，真空度：0.1～100Pa，时间：1～10分钟，温度：20～150℃；

在微弧氧化膜上沉积的类金刚石膜的表面进行离子注入，离子注入采用金属蒸汽真空弧离子源，以第一金属为阴极，所述第一金属为钛、钴、镍、铬或它们的合金，注入时真空度低于5×10^-2Pa，加速电压5～500KV，注入剂量1.0×10¹²～5.0×10¹⁶离子/cm²，注入深度为1～100纳米，温度为常温～250℃；

在注入有第一金属离子的类金刚石膜的表面，采用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积技术，采用与离子注入第一金属的相同种金属进行第一金属沉积，沉积厚度为5～500nm，真空度为低于5×10^-2Pa，温度为25℃～250℃；

步骤3、将经过上述处理的铝板装入夹具，在电镀槽中对沉积的铜的表面进行电镀铜并钝化处理，使电镀后的铜层厚度达到预定的厚度并有一定的耐蚀能力，制成铝基覆铜板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述类金刚石膜沉积替换为氮化铝膜沉积。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体沉积金属铜的条件包括：再采用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积技术，以金属铜为阴极，进行铜的沉积，此次沉积厚度为5～500nm，真空度为低于5×10^-2Pa，温度为25℃～250℃。