[发明专利]一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法有效

专利信息
申请号: 201810995027.7 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109116198B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 刘振定;左博文;安亚斌;蔺聪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 击穿 测试 结构 显示 面板 方法
【权利要求书】:

1.一种击穿测试结构,其特征在于,所述结构包括:

基底;

有源层,所述有源层设置在所述基底上;

栅绝缘层,所述栅绝缘层设置在所述有源层上,所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区,位于所述爬坡区内部的区域为平面区;

栅极层,所述栅极层设置在所述栅绝缘层上,包括相接的第一栅部和第二栅部,所述第一栅部覆盖所述平面区,所述第二栅部覆盖所述爬坡区,所述第一栅部和/或所述第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层;

第一信号传输线,与所述有源层同层设置,并与所述有源层相连;

第二信号传输线,与所述栅极层同层设置,并与所述第二栅部相连;

所述第一信号传输线和所述第二信号传输线均具有端部,并且所述第一信号传输线的端部和所述第二信号传输线的端部均露出上表面。

2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述镂空图案为梳状图形。

3.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述有源层和所述第一信号传输线均为掺杂有P型杂质的多晶硅层;

所述第一信号传输线中的P型杂质浓度,高于被所述栅极层覆盖的所述有源层中的P型杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述栅绝缘层为氧化硅层;

所述栅极层为金属层。

5.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1-4任一项所述的击穿测试结构。

6.一种击穿测试方法,其特征在于,应用于权利要求1-5任一项所述的击穿测试结构,所述击穿测试结构包括基底、有源层、栅绝缘层和栅极层,所述栅绝缘层包括爬坡区和平面区,所述栅极层包括第一栅部和第二栅部,所述第一栅部和/或所述第二栅部为镂空图案,所述方法包括:

在所述有源层和所述栅极层上施加电压,其中,所述电压逐渐增大;

在所述栅绝缘层被击穿时,确定击穿电压;

根据所述击穿位置位于所述第一栅部,确定所述平面区被击穿;根据所述击穿位置位于所述第二栅部,确定所述爬坡区被击穿。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述镂空图案为梳状图形。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述击穿测试结构还包括第一信号传输线和第二信号传输线,所述第一信号传输线与所述有源层相连,所述第二信号传输线与所述第二栅部相连,所述第一信号传输线和所述第二信号传输线均具有端部;所述方法还包括:

在所述第一信号传输线的端部和所述第二信号传输线的端部施加电压。

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