[发明专利]一种高分辨率矩阵屏的制作工艺在审
申请号: | 201810995430.X | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109148364A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 宋爱民;杜军 | 申请(专利权)人: | 深圳华信嘉源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 褚庆森 |
地址: | 518048 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 衬底 显示材料 制作工艺 制备 激光切割 柔性矩阵 矩阵屏 涂覆 去除 激光切割工艺 柔性显示材料 柔性显示屏 干法刻蚀 光刻工艺 曝光处理 显影处理 有效显示 研磨 材料区 光刻胶 显示层 像素点 切割 应用 | ||
本发明的高分辨率矩阵屏的制作工艺,包括:1).选取衬底;2).涂覆显示材料;3).激光切割。亦可采用:a).选取衬底;b).涂光刻胶;c).曝光处理;d).显影处理;e).制备显示层;f).去除多余显示材料区,以形成柔性矩阵屏。本发明的制作工艺,可采用激光切割工艺对涂覆在柔性衬底上的柔性显示材料层进行切割,亦可采用光刻工艺在柔性衬底上制备尺寸满足要求的有效显示材料区(即像素点),然后在利用激光切割、干法刻蚀或研磨方法将多余显示材料区去除,以形成高分辨率柔性矩阵屏,解决了现有工艺无法制备高分辨率柔性显示屏的技术问题,有益效果显著,适于应用推广。
技术领域
本发明涉及一种矩阵屏的制作工艺,更具体的说,尤其涉及一种高分辨率矩阵屏的制作工艺。
背景技术
柔性显示屏具有良好的弯曲性能,其在可穿戴设备等领域具有广阔的应用前景,柔性显示屏采用柔性显示材料,柔性显示材料在外加电场的作用下进行显色,外加电场退去后可保持显色,只有施加反向电场后才可褪色,这使得其功耗极低。现有柔性显示屏基本都采用印刷或喷涂工艺制作,根据要求在柔性衬底上制作所要显示的文字、图形等,通电后即可控制文字或图形信息的显示。为了实现对可变文字或图形信息的显示,这就需要柔性显示屏具有较高的分辨率,然而受印刷或喷涂工艺的限制,其很难将像素点的尺寸加工至毫米级以下,这就为高分辨率柔性显示屏的制作带来了挑战,目标还没有一种有效的加工高分辨率(如像素点的尺寸为0.1mm×0.1mm)柔性显示屏的方法。
发明内容
本发明为了克服上述技术问题的缺点,提供了一种高分辨率矩阵屏的制作工艺。
本发明的高分辨率矩阵屏的制作工艺,其特征在于,通过以下步骤来实现:
1).选取衬底,选取合适的柔性衬底,然后将柔性衬底的表面清洗干净并吹干;2).涂覆显示材料,在柔性衬底的表面涂覆显示材料,以形成柔性的显示材料层;3).激光切割,采用激光切割工艺将显示材料层切割为按照矩阵排列的像素点,以形成高分辨率柔性矩阵屏。
本发明的高分辨率矩阵屏的制作工艺,其特征在于,通过以下步骤来实现:
a).选取衬底,选取合适的柔性衬底,然后将柔性衬底的表面清洗干净并吹干;b).涂光刻胶,在柔性衬底设置显示材料的表面涂覆一层光刻胶,形成光刻胶层;c).曝光处理,根据所要制作柔性矩阵屏的像素点大小,对柔性衬底上的光刻胶层进行曝光处理;d).显影处理,将曝光后的光刻胶层进行显影处理,以去掉光刻胶层的曝光部位,未去掉的光刻胶层形成隔离墙,隔离墙之间形成容纳显示材料的填充区;e).制备显示层,在步骤d)获取的柔性衬底上制备显示材料层,显示材料层由位于填充区中的有效显示材料区和位于隔离墙上的多余显示材料区组成;f).去除多余显示材料区,采用激光切割、干法刻蚀或研磨方法将多余显示材料区去除,以形成像素点互不相连的柔性矩阵屏。
本发明的高分辨率矩阵屏的制作工艺,步骤f)中所述的干法刻蚀通过以下步骤来实现:首先在有效显示材料区和多余显示材料区的上表面制备一层保护膜,以避免干法刻蚀过程中对有效显示材料区的破坏,然后采用诸如离子束的干法刻蚀工艺将隔离墙上的多余显示材料区去除,即形成了像素点互不相连的高分辨率柔性矩阵屏;
步骤f)中所述的研磨方法为:首先利用研磨板对步骤e)中获取的中间器件的上表面进行研磨,研磨厚度以仅去除隔离墙上的多余显示材料区、而不对有效显示材料区破坏为准,即形成了像素点互不相连的高分辨率柔性矩阵屏。
本发明的有益效果是:本发明的高分辨率矩阵屏的制作工艺,可采用激光切割工艺对涂覆在柔性衬底上的柔性显示材料层进行切割,以形成较小尺寸(如0.1mm×0.1mm)的互不相连的像素点,亦可采用光刻工艺在柔性衬底上制备尺寸满足要求的有效显示材料区(即像素点),然后在利用激光切割、干法刻蚀或研磨方法将多余显示材料区去除,以形成高分辨率柔性矩阵屏,解决了现有工艺无法制备高分辨率柔性显示屏的技术问题,有益效果显著,适于应用推广。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造