[发明专利]半导体结构

说明书

导电层形成在金属栅极结构与接触部件之间，上述金属栅极结构包含高介电常数栅极介电层及栅极电极。导电层可选择性地沉积在栅极电极的上表面上方；或通过例如控制沉积的时间，而不具选择性地形成在栅极介电层及栅极电极的上表面上。导电层具有镶入栅极电极内的底部。导电层及接触部件可由不同的沉积技术形成，但导电层及接触部件可包含相同的组成。

技术领域

本发明实施例涉及具有导电层的半导体结构，特别涉及一种具有形成在金属栅极结构与接触部件之间的导电层的半导体结构。

背景技术

集成电路(integrated circuit,IC)产业历经指数性的成长。IC材料和设计在技术上的发展造就了各个世代的IC，且每个世代都比先前的世代有更小及更复杂的电路。在IC进化的过程，功能密度(例如每一个芯片面积的内连线装置的数量)持续增加，而几何尺寸(例如利用工艺所创造出的最小构件(或导线))持续减小。此微缩工艺一般提供了增加制造效率及减低相关联的成本的好处。

为了实现上述优点，此微缩化也增加制造IC和工艺的复杂度，制造IC和工艺也需要相应的发展。例如，以金属栅极取代多晶硅栅极，以减低部件的尺寸改善装置效能。然而，在制造装置的期间，形成接触部件于金属栅极上面临了挑战。例如，因缩小的部件尺寸所引起的接触部件与金属栅极之间的高阻抗难以控制。因此，在这领域需要改善。

发明内容

根据一些实施例，提供半导体结构。上述半导体结构包含金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。上述半导体结构包含导电层，其形成于金属栅极结构的上表面上，部分的导电层中镶入在金属栅极结构的上表面下方。上述半导体结构包含接触部件，其设置于金属栅极结构的上表面上，接触部件与导电层的上表面直接接触。

附图说明

本公开的各种样态最好的理解方式为阅读以下说明书的详说明并配合附图说明书附图。应该注意的是，本公开的各种不同特征部件并未依据工业标准作业的尺寸而绘制。事实上，为使说明书能清楚叙述，各种不同特征部件的尺寸可以任意放大或缩小。

第1A、4A、5、6A、6C、7A、8A、9A、10A、11A、11C、12A、12B、13A及13B图是根据本发明一些实施例，半导体结构的部分剖面示意图。

第1B、4B、6B、7B、8B、9B、10B及11B图分别是根据本发明一些实施例，如第1A、4A、6A、7A、8A、9A、10A及11A(和11C)图所示的装置的平面上视图。

图2是根据本发明一些实施例的装置的三维透视图。

图3是根据本发明一些实施例，制造半导体装置的方法流程图。

附图标记列表

100 装置

102 半导体基底

106 源极/漏极部件

108 通道区

110 第一层间介电层

120 高介电常数金属栅极结构

122 栅极介电层

124 栅极电极

126 导电层

128 栅极间隙物

130 第二层间介电层

132、134 接触部件

140 覆盖层

150、152、154 金属层

170 第一部分

172 第二部分