[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括在基板上形成多晶硅层；在多晶硅层上依次形成至少一栅极绝缘层和至少一间绝缘层及其上的过孔图案，该过孔图案包括栅极沟槽和源漏极孔，通过填充栅极沟槽以形成栅极线。本发明通过采用栅极绝缘层和间绝缘层的叠层制备，为栅极沟槽的形成提供条件；此外，栅极绝缘层和间绝缘层的叠层制备，配合在栅极绝缘层和间绝缘层上制备过孔以形成过孔图案以及填充过孔图案以制备栅极线等步骤，使得栅极线的形成和过孔图案的形成可以采用相同的光罩即可完成，从而减少光罩使用数量，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板及其制造方法。

背景技术

在显示屏制造领域中，LTPS技术由于其产品成本较低及器件电子迁移率高等特点，越来越受到手机和平板屏幕等制造商的青睐。

传统的LTPS技术所需的膜层较多且膜层结构复杂，造成LTPS的制程过程存在所需曝光次数多及所需光罩数量较多的问题。图1为采用传统LTPS技术形成的TFT器件膜层结构，该TFT器件膜层结构包括玻璃基板100、设于所述玻璃基板100上的遮光层101、设于所述玻璃基板100及所述遮光层101上的缓冲层102、设于所述缓冲层102上的多晶硅层103、设于所述多晶硅层103及所述缓冲层102上的栅极绝缘层104、设于所述栅极绝缘层104上的栅极线105、设于所述栅极线105及所述栅极绝缘层104上的间绝缘层106、设于所述间绝缘层106上且通过源极孔连接所述多晶硅层103的源电极108及设于所述间绝缘层106上且通过漏极孔与所述多晶硅层103连接的漏电极109；图2为图1所示TFT器件膜层结构的主要工艺流程，利用该工艺流程图制造图1所示的TFT器件膜层结构需至少6块光罩。为了解决LTPS TFT器件的制程过程存在所需光罩数量较多导致生产成本提高的问题，各大厂商均在寻求减少光罩使用数量的方法。

发明内容

鉴于此，本发明的目的在于提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法能够有效地减少光罩使用数量，从而降低生产成本。

为实现上述目的，具体方案如下：

一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上依次形成至少一栅极绝缘层和至少一间绝缘层，在所述栅极绝缘层或所述间绝缘层上涂布第一光阻层，所述第一光阻层经过一光罩曝光及显影液显影后，采用蚀刻制程处理所述栅极绝缘层和所述间绝缘层以形成源漏极孔并暴露部分的多晶硅层，同时于所述栅极绝缘层或所述间绝缘层上形成栅极沟槽，剥离所述栅极绝缘层或所述间绝缘层上剩余的所述第一光阻层；

填充所述源漏极孔及所述栅极沟槽并在所述部分暴露的多晶硅层、所述栅极绝缘层或/和所述间绝缘层上形成栅极层，再在所述栅极层上涂布第二光阻层，所述第二光阻层经过所述光罩曝光及显影液显影后，对所述栅极层进行蚀刻制程处理以在所述栅极沟槽下方对应的栅极绝缘层或间绝缘层上形成栅极线；

其中，所述栅极沟槽的深度小于所述栅极绝缘层和所述间绝缘层的厚度之和。

在其中一些实施例中，采用化学气相沉积一次形成所述栅极绝缘层和所述间绝缘层。

在其中一些实施例中，所述栅极绝缘层为氮化硅层、氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层的复合层中的任意一种；所述间绝缘层为氮化硅层、氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层的复合层中的任意一种。