[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：衬底，在第一区域和第二区域之间具有缓冲区域，第一区域是SRAM单元区域，第二区域是外围电路区域；第一栅极结构，在第一区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开，第一栅极结构和第二栅极结构彼此对准；第一绝缘结构，在第二方向上在缓冲区域上延伸，该第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在第一区域上并与所述多个第一栅极结构的一部分接触。

技术领域

本公开的示范性实施方式涉及一种半导体器件。

背景技术

需要图案的小型化以制造高度集成的半导体元件。为了将许多元件集成在小的区域内，每个元件的尺寸需要尽可能小，为此，需要减小节距，其是要形成的每个图案的宽度和图案之间的间隔之和。近来，随着半导体元件的设计规则的迅速减小，在用于形成实现半导体元件所需的图案的光刻工艺中，由于分辨率极限，对形成具有精细节距的图案存在限制。

发明内容

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括第一区域、第二区域以及在第一区域和第二区域之间的缓冲区域，第一区域是静态随机存取存储器(SRAM)单元区域，第二区域是用于操作SRAM单元区域的第一外围电路区域；在衬底的第一区域上在第一方向上延伸得长的多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构在与所述第一方向不同的第二方向上彼此间隔开；多个第二栅极结构，在衬底的第二区域上在第一方向上延伸得长，所述多个第二栅极结构在第二方向上彼此间隔开，并且所述多个第二栅极结构中的每个沿着第一方向与所述多个第一栅极结构中的对应的一个对准成一行；第一绝缘结构，在衬底的缓冲区域上在第二方向上延伸，第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域中的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在衬底的第一区域上，第二绝缘结构与所述多个第一栅极结构的一部分接触。

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有第一区域、第二区域以及设置在第一区域和第二区域之间的缓冲区域；第一栅极结构，在第一区域的衬底上并包括在第一方向上延伸的第一长侧和在与第一方向不同的第二方向上延伸的第一短侧；第二栅极结构，在第二区域的衬底上并包括在第一方向上延伸的第二长侧和在第二方向上延伸的第二短侧，第二短侧面对第一短侧；第一绝缘结构，设置在缓冲区域的衬底上并在第一栅极结构的第一短侧与第二栅极结构的第二短侧之间；以及第二栅极结构，在第一区域的衬底上，其中第一栅极结构设置在第一绝缘结构与第二绝缘结构之间，并且第一绝缘结构在第一方向上的宽度不同于第二绝缘结构在第一方向上的宽度。

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一深度的深沟槽，限定彼此间隔开的第一区域和第二区域；第一沟槽，在第一区域中限定在第一方向上延伸的第一鳍型图案并具有比第一深度浅的第二深度；第二沟槽，在第二区域中限定在第一方向上延伸的第二鳍型图案并具有比第一深度浅的第三深度；场绝缘膜，填充深沟槽的一部分、第一沟槽的一部分和第二沟槽的一部分；第一绝缘结构，在填充深沟槽的场绝缘膜上并在与第一方向不同的第二方向上具有第一宽度；第二绝缘结构，在填充第一沟槽的场绝缘膜上并在第二方向上具有与第一宽度不同的第二宽度；第一栅极结构，与第一鳍型图案交叉并在第一绝缘结构与第二绝缘结构之间在第二方向上延伸；以及第二栅极结构，在第二方向上延伸并与第二鳍型图案交叉。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，特征对于本领域普通技术人员将变得明显，附图中：

图1示出根据本公开的一些示范性实施方式的半导体器件的平面图；

图2示出沿着图1的线I-I的截面图；

图3a和图3b分别示出沿着图1的线II-II和III-III的截面图；

图4示出沿着图1的线IV-IV的截面图；