[发明专利]用于实现微电子封装结构中的焊料接头稳定性的衬底架构

权利要求书

1.一种微电子封装结构，包括：

第一衬底；

第一管芯，其设置在所述第一衬底的表面上；

底部填充材料，其设置在所述第一衬底的所述表面上、与所述第一管芯相邻；以及

第二衬底，其设置在所述第一衬底上，其中，所述第二衬底包括至少一个开口，其中，所述至少一个开口设置在所述第一管芯之上，并且其中，所述至少一个开口至少部分地用所述底部填充材料来填充。

2.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中，所述至少一个开口的宽度包括在大约30微米到大约1000微米之间。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构，其中，在所述第二衬底上设置管芯。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构，其中，所述至少一个开口包括所述第二衬底的与所述底部填充材料相邻的侧壁。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构，其中，所述至少一个开口设置在所述第一管芯的占用区域内。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构，其中，所述第二衬底包括内插件。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构，其中，所述第一管芯包括片上系统管芯。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构，其中，所述微电子封装结构包括堆叠式封装组件。

9.一种形成微电子封装结构的方法，包括：

在上衬底的中央部分中形成至少一个开口；

将所述上衬底附接到下衬底，其中，所述下衬底包括第一管芯；

将底部填充材料分配在所述至少一个开口内；以及

将所述底部填充材料形成为与所述第一管芯相邻。

10.根据权利要求9所述的形成微电子封装结构的方法，其中，附接所述上衬底还包括：将所述至少一个开口置于所述第一管芯的占用区域内。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的形成微电子封装结构的方法，还包括：将所述底部填充材料形成为与设置在所述上衬底和所述下衬底之间的焊料接头相邻。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的形成微电子封装结构的方法，其中，形成所述至少一个开口包括：对所述至少一个开口进行激光钻孔。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的形成微电子封装结构的方法，其中，所述下衬底包括设置在所述下衬底的第一侧上的多个管芯。

14.根据权利要求13所述的形成微电子封装结构的方法，还包括：将附加的上衬底置于所述下衬底上，并且将所述底部填充材料分配在所述上衬底和所述附加的上衬底之间的间隙中。

15.根据权利要求14所述的形成微电子封装结构的方法，其中，所述间隙包括处于大约130微米和大约180微米之间的宽度。

16.根据前述权利要求中的任一项所述的形成微电子封装结构的方法，其中，所述微电子封装结构包括堆叠式封装组件。

17.一种微电子系统，包括：

板；

附接到所述板的微电子封装组件，其中，所述微电子封装包括：

第一衬底；

位于所述第一衬底上的第一管芯，其中，底部填充材料设置在所述第一衬底的第一表面上、与所述第一管芯相邻；以及

设置在所述第一衬底上的第二衬底，其中，所述第二衬底包括位于所述第一管芯之上的至少一个开口，并且其中，所述至少一个开口至少部分地用所述底部填充材料来填充。