[发明专利]基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法

说明书

本发明公开了一种基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法，涉及非易失性存储器技术领域。该基准电流产生电路包括相互并联的两个存储器件，以及分别与两个存储器件串联的两个选通开关，两个存储器件的另一端分别连接于编程COM线和擦除COM线；两个选通开关远离存储器件的一端连接于第一组场效应管；第一组场效应管中的第一场效应管的栅极和源极还连接有第二组场效应管中第二场效应管的栅极，第二组场效应管的源极连接于基准电流产生电路的输出端。本发明技术方案在使用过程中，可根据编程和擦除循环次数和温度等的变化，并根据影响程度相应调整第一组场效应管和第二组场效应管的个数，可以保证基准电流有足够的电流裕度。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，特别是涉及基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法。

背景技术

非易失性存储器通常依靠基准电流来区分存储器件的是值0（小于基准电流）还是值1 （大于基准电流）。为了生成基准电流，许多非易失性存储器的设计将非易失性存储器的位单元作为基准单元。在现有技术中，非易失性存储器的基准电流产生方法有多种，但是随着编程擦除循环次数、时间、工艺不同、源电压和温度的变化等，目前的基准电流不能够完全补偿存储器件的电流变化，从而造成基准电流距离存储器件电流的检测裕度变小。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法，旨在使产生的基准电流可以完全补偿编程擦除循环次数、时间、工艺、电源电压和温度的变化带来的电流变化，保证最大的电流检测裕度。

为实现上述目的，本发明提供一种基准电流产生电路，所述基准电流产生电路包括相互并联的两个存储器件，以及分别与两个存储器件串联的两个选通开关，两个存储器件的另一端分别连接于编程COM线和擦除COM线；两个所述选通开关远离所述存储器件的一端连接于第一组场效应管；所述第一组场效应管中的第一场效应管的栅极和源极还连接有第二组场效应管中第二场效应管的栅极，所述第二组场效应管的源极连接于所述基准电流产生电路的输出端。

优选地，所述第一场效应管的漏极和所述第二场效应管的漏极均接地。

优选地，所述第一组场效应管包括m个并联的场效应管，所述第二组场效应管包括n个并联的场效应管。

优选地，所述电路还包括比较器，所述比较器的第一输入端连接于存储单元电流输出端，所述比较器的第二输入端连接于所述基准电路产生电路的输出端，所述比较器比较所述单元电流和所述基准电流并输出比较结果。

优选地，所述并联的两个存储器件以及连接于两者的选通开关构成一组存储器件，多组存储器件构成基准单元。

本发明还提供一种非易失性存储器，所述存储器包括存储单元以及如所述的基准电流产生电路，所述基准电流产生电路包括基准单元和连接于所述基准单元的第一组场效应管，所述基准单元与所述存储单元位于同一个N阱中。

优选地，所述基准单元中包括多组存储器件，其中一半的存储器件为已编程基准单元，另一半的存储器件为已擦除基准单元。

优选地，所述已编程基准单元的电流与已编程的存储单元电流保持匹配；所述已擦除基准单元的电流与已擦除的存储单元电流保持匹配。

本发明还提供一种基准电流产生方法，包括以下步骤：

当对非易失性存储器存储器件进行擦除操作时，将基准单元中的存储器件接通至擦除COM线，同步擦除已编程基准单元，以得到擦除电流；

将基准单元中一半的存储器件的BL端接通高电平，对基准单元中一半的存储器件进行编程操作，以得到编程电流；

将编程电流和擦除电流经第一组场效应管和第二组场效应管镜像，以得到基准电流。