[发明专利]一种长寿命低熔点金属合金导热材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种长寿命低熔点金属合金导热材料，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：In 40‑55份；Sn 15‑35份；Bi 4.76‑8.26份；Ga 1‑5份；Zn 0.8‑1.5份；Cr 0.01‑1份。本发明所得合金材料的熔点为47‑61摄氏度，具有熔点低、导热效率好、耐磨性能好的优点。

技术领域

本发明涉及材料制备领域，具体涉及一种长寿命低熔点金属合金导热材料及其制备方法。

背景技术

目前，芯片在很多情况下都是通过导热硅胶连接芯片表面和散热器模组进行热量的散发。导热硅胶的作用在于利用其流动性来填充热源与散热器表面之间缝隙，使它们能更充分接触来达到加速传热的目的。但是，由于硅胶在空气中长期放置容易老化，且其极低的热导率是整个系统的散热瓶颈。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种长寿命低熔点金属合金导热材料及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种长寿命低熔点金属合金导热材料，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：

In 40-55份；Sn 15-35份；Bi 4.76-8.26份；Ga 1-5份；Zn 0.8-1.5份；Cr 0.01-1份。

优选地，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：

In 40份；Sn 15份；Bi 4.76份；Ga 1份；Zn 0.8份；Cr 0.01份。

优选地，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：

In 55份；Sn 35份；Bi 8.26份；Ga 5份；Zn 1.5份；Cr 1份。

优选地，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：

In 47.5份；Sn 25份；Bi 6.51份；Ga 3份；Zn 1.15份；Cr0.505份。

本发明还提供了一种长寿命低熔点金属合金导热材料的制备方法，包括如下步骤：

S1、按上述的配方称取各组分；

S2、将称取的In、Sn、Bi、Zn和Cr置于真空烧结炉中在搅拌状态下进行烧结，真空度5～10Pa，单向压力200～1000MPa，升温速率20～100℃/min，烧结温度600℃，烧结10～60min，再经急冷甩带工艺制备成箔带，即得。

本发明具有以下有益效果：

本发明所得合金材料的熔点为47-61摄氏度，具有熔点低、导热效率好、耐磨性能好的优点。

具体实施方式

为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

一种长寿命低熔点金属合金导热材料，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：

In 40份；Sn 15份；Bi 4.76份；Ga 1份；Zn 0.8份；Cr 0.01份。

实施例2

一种长寿命低熔点金属合金导热材料，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：

In 55份；Sn 35份；Bi 8.26份；Ga 5份；Zn 1.5份；Cr 1份。

实施例3

一种长寿命低熔点金属合金导热材料，该材料由质量百分比计的以下组分制备而成：