[发明专利]一种扁平导体的电流测量方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种扁平导体的电流测量方法，其特征在于，包括：

分别获取待测扁平导体在多个单轴磁传感器的磁敏感方向上产生的磁感应强度和各所述单轴磁传感器之间的相对距离；

依据各所述磁感应强度和各所述相对距离计算所述待测扁平导体的电流值；

其中，任意两个单轴磁传感器的连线与所述待测扁平导体所在平面垂直，所述连线所在平面与所述待测扁平导体所在平面的交线位于所述待测扁平导体的中轴线处且与所述待测扁平导体的电流方向平行以及各所述单轴磁传感器的磁敏感方向均垂直于所述电流方向和所述连线；

所述单轴磁传感器的个数为两个，分别为第一单轴磁传感器和第二单轴磁传感器；

所述依据各所述磁感应强度和各所述相对距离计算所述待测扁平导体的电流值具体包括：

依据所述第一单轴磁传感器的第一磁感应强度、所述第二单轴磁传感器的第二磁感应强度以及所述第一单轴磁传感器和所述第二单轴磁传感器之间的相对距离计算出所述待测扁平导体的第一电流和第二电流；

对所述第一电流和所述第二电流进行迭代处理；

计算迭代处理后的第一电流和第二电流的差值绝对值；

选取小于前一次迭代的差值绝对值且小于后一次迭代的差值绝对值的目标差值绝对值；

将与所述目标差值绝对值对应的第一目标电流或第二目标电流作为所述待测扁平导体的电流值；

所述依据所述第一单轴磁传感器的第一磁感应强度、所述第二单轴磁传感器的第二磁感应强度以及所述第一单轴磁传感器和所述第二单轴磁传感器之间的相对距离计算出所述待测扁平导体的第一电流和第二电流具体为：

联立如下三式求得所述待测扁平导体的第一电流和第二电流：

y₂-y₁＝d；

其中，

其中，令y₁或y₂为预设值，B₁为第一单轴磁传感器处的磁感应强度，dB_x为待测扁平导体x轴方向的磁感应强度，μ₀为真空磁导率，I为待求解的待测扁平导体的电流，y₁为距离待测扁平导体较近的第一单轴磁传感器到待测扁平导体的距离，y₂为第二单轴磁传感器到待测扁平导体的距离，a为待测扁平导体的宽度，d为第一单轴磁传感器和第二单轴磁传感器之间的距离，x为沿待测扁平导体y轴分布的dx距离待测扁平导体中轴面的距离。

2.根据权利要求1所述的扁平导体的电流测量方法，其特征在于，所述分别获取待测扁平导体在多个单轴磁传感器的磁敏感方向上产生的磁感应强度具体包括：

预先测出所述第一单轴磁传感器的第一比例系数和所述第二单轴磁传感器的第二比例系数；

为所述第一单轴磁传感器和所述第二单轴磁传感器施加直流电压以获取所述第一单轴磁传感器输出的第一电压和所述第二单轴磁传感器输出的第二电压；

将所述第一比例系数和所述第一电压的乘积作为所述第一单轴磁传感器的第一磁感应强度，将所述第二比例系数和所述第二电压的乘积作为所述第二单轴磁传感器的第二磁感应强度。

3.根据权利要求1所述的扁平导体的电流测量方法，其特征在于，所述获取各所述单轴磁传感器的相对距离具体为：

通过距离传感器获取所述第一单轴磁传感器和所述第二单轴磁传感器之间的相对距离。