[发明专利]低温合成WC的制备方法

说明书

本发明公开了一种低温合成WC的制备方法，包括氧化铝固定床反应器，步骤A、选择符合粒度要求的钨源加入氧化铝固定床反应器内；步骤B、在氧化铝固定床反应器内添加氢气与甲烷混合物，并将温度提高至850°C并保温1－3小时使钨源合成碳化钨。本发明的加工工艺方法简单，大大降低加工的难度和加工的成本，也缩减了加工的时间，解决了传统技术中耗时长且成本高的技术不足，提高加工的效率，适用性强。

技术领域

本发明属于WC的制备方法技术领域，具体涉及一种低温合成WC的制备方法。

背景技术

硬质合金由于其具备高强度、高硬度的特性而广泛应用于石油转探、矿山开采、机械加工、航天航空等行业。制造硬质合金的关键技术之一在于硬质合金原材碳化钨（WC）的制备。传统的碳化钨（WC）制备方法是选择粒度符合要求的钨源（W）和碳源（C）通常是采用石墨炉中进行高温碳化反应，其温度达到1900℃左右，碳化时间较长，从升温到降温出炉需要8小时以上，才能制得符合要求的碳化钨（块状物），这种制备方法耗时长、成本高、球磨破粹效率低，且会带来Fe等杂质含量增高。

发明内容

本发明的目的是提供一种低温合成WC的制备方法，旨在解决传统技术中耗时长且成本高的技术不足。

实现本发明目的的技术方案是一种低温合成WC的制备方法，包括氧化铝固定床反应器，步骤A、选择符合粒度要求的钨源加入氧化铝固定床反应器内；

步骤B、在氧化铝固定床反应器内添加氢气与甲烷混合物，并将温度提高至850°C并保温1－3小时使钨源合成碳化钨。

在所述步骤B中，氢气与甲烷混合物中为95%氢气与5%的甲烷组成。

在所述步骤B中，氢气与甲烷混合物以20L/S的速度流入氧气铝固定床反应器中。

所述钨源为钟钨酸铵或蓝色氧化钨。

在所述步骤B中，保温时间为1小时。

本发明具有积极的效果：本发明的加工工艺方法简单，相比传统的1900度高温而言，本发明中采用850度低温并时间在1－3小时，其为低温状态了，可以大大降低加工的难度和加工的成本，也缩减了加工的时间，解决了传统技术中耗时长且成本高的技术不足，同时采用钨源与混合气体反应，有利于提高反应的速度，提高加工的效率，同时可以得到极细的WC微晶，适用性强。

具体实施方式

（实施例1）

一种低温合成WC的制备方法，包括氧化铝固定床反应器，步骤A、选择符合粒度要求的钨源加入氧化铝固定床反应器内；

步骤B、在氧化铝固定床反应器内添加氢气与甲烷混合物，并将温度提高至850°C并保温1－3小时使钨源合成碳化钨。

在所述步骤B中，氢气与甲烷混合物中为95%氢气与5%的甲烷组成。

在所述步骤B中，氢气与甲烷混合物以20L/S的速度流入氧气铝固定床反应器中。

所述钨源为钟钨酸铵或蓝色氧化钨。

在所述步骤B中，保温时间为1小时。

本发明具有积极的效果：本发明的加工工艺方法简单，相比传统的1900度高温而言，本发明中采用850度低温并时间在1－3小时，其为低温状态了，可以大大降低加工的难度和加工的成本，也缩减了加工的时间，解决了传统技术中耗时长且成本高的技术不足，同时采用钨源与混合气体反应，有利于提高反应的速度，提高加工的效率，同时可以得到极细的WC微晶，适用性强。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本发明的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本发明的保护范围。