[发明专利]存储器装置及其控制方法以及控制存储器装置的方法

说明书

存储器装置包含配置成基于信号执行操作的电路、配置成获取操作控制信号的第一引脚、配置成输出数据输出参考信号的第二引脚以及配置成将数据与数据输出参考信号同步输出的第三引脚。提供电路以使得第一引脚从外部装置获取操作控制信号，所述操作控制信号在存储器装置进入就绪状态的第一时间点之后的第二时间点转变；第二引脚输出数据输出参考信号，所述数据输出参考信号在晚于第二时间点预定时间间隔的第三时间点转变；且第三引脚从第三时间点开始与周期性转变的操作控制信号同步输出数据。

技术领域

本发明涉及提供存储器装置、存储器装置的控制方法以及控制存储器装置的方法，更具体地说，涉及配置成以更高速度处理数据的异步NAND型存储装置、存储器装置的控制方法和控制存储器设备的方法。

背景技术

半导体存储器装置可为用于存储数据且使用例如硅、锗以及砷化镓的半导体实施的存储器装置。半导体存储器装置通常可分类成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器可为配置成在供电中断时丢失存储数据的存储器装置。易失性存储器可包含静态随机存取存储器(static random access memory；SRAM)、动态RAM(dynamicRAM；DRAM)、同步DRAM(synchronous DRAM；SDRAM)以及其类似者，且非易失性存储器可包含只读存储器(read-only memory；ROM)、可编程ROM(programmable ROM；PROM)、电可编程ROM(electrically programmable ROM；EPROM)、快闪存储器装置以及其类似者。其中，快闪存储器装置可广泛地分为NOR型快闪存储器装置和NAND型快闪存储器装置。

已广泛使用被配置成使用NAND快闪存储器装置执行数据读取、写入以及擦除操作的控制装置接口。然而，随着处理器的规范逐步改进和软件技术的持续发展，有必要开发能够以较高速度处理数据的存储器装置和接口。

发明内容

[技术难题]

本发明的一方面提供存储器装置、存储器装置的控制方法以及控制存储器装置的方法。

本发明的另一方面提供异步NAND型存储器装置、异步NAND型存储器装置的控制方法以及控制存储器装置的方法。

本发明的再一方面提供具有改进的数据处理速度的存储器装置、存储器装置的控制方法以及控制存储器装置的方法。

[技术解决方案]

根据本发明的一方面，提供一种存储器装置，其为异步NAND型存储器装置，所述存储器装置包含：配置成基于从外部装置获取的信号执行操作的电路、配置成从外部装置获取操作控制信号的第一引脚、配置成将数据输出参考信号输出到外部装置的第二引脚以及配置成将数据与数据输出参考信号同步输出到外部装置的第三引脚。

提供电路以使得第一引脚从外部装置获取操作控制信号，所述易失性在存储器装置进入就绪状态的第一时间点之后的第二时间点转变，且随后以第一时段周期性转变；第二引脚输出数据输出参考信号，所述数据输出参考信号在晚于第二时间点预定时间间隔的第三时间点转变，其中数据输出参考信号与周期性转变的操作控制信号同步输出；且第三引脚从第三时间点开始与周期性转变的操作控制信号同步输出数据。

根据本发明的另一方面，提供一种控制存储器装置的方法，所述存储器装置为NAND型存储器装置，所述方法包含：在存储器装置在第一时间点进入就绪状态时将操作控制信号输出到存储器装置，其中操作控制信号在第一时间点之后的第二时间点转变且随后以第一时段周期性转变；响应于输出到存储器装置的操作控制信号从存储器装置获取数据输出参考信号，其中数据输出参考信号在晚于第二时间点预定时间间隔的第三时间点转变，且与周期性转变的操作控制信号同步输出；以及获取从第三时间点开始与数据输出参考信号同步输出的数据。